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1. (WO2014014109) COMPOSITION FORMANT UNE COUCHE DE PASSIVATION, SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AYANT UNE COUCHE DE PASSIVATION, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AYANT UNE COUCHE DE PASSIVATION, ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE, ET CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/014109    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/069699
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 19.07.2013
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), C09K 3/00 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 31/04 (2014.01)
Déposants : HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606 (JP)
Inventeurs : ADACHI, Shuichiro; (JP).
YOSHIDA, Masato; (JP).
NOJIRI, Takeshi; (JP).
KURATA, Yasushi; (JP).
TANAKA, Tooru; (JP).
ORITA, Akihiro; (JP).
HAYASAKA, Tsuyoshi; (JP).
HATTORI, Takashi; (JP).
MATSUMURA, Mieko; (JP).
WATANABE, Keiji; (JP).
MORISHITA, Masatoshi; (JP).
HAMAMURA, Hirotaka; (JP)
Mandataire : TAIYO, NAKAJIMA & KATO; TAIYO, NAKAJIMA & KATO, 3-17, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-160336 19.07.2012 JP
2012-218389 28.09.2012 JP
2013-011934 25.01.2013 JP
2013-040153 28.02.2013 JP
2013-038895 28.02.2013 JP
Titre (EN) PASSIVATION-LAYER-FORMING COMPOSITION, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING PASSIVATION LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING PASSIVATION LAYER, SOLAR-CELL ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR-CELL ELEMENT, AND SOLAR CELL
(FR) COMPOSITION FORMANT UNE COUCHE DE PASSIVATION, SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AYANT UNE COUCHE DE PASSIVATION, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AYANT UNE COUCHE DE PASSIVATION, ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE, ET CELLULE SOLAIRE
(JA) パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板、パッシベーション層付半導体基板の製造方法、太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池
Abrégé : front page image
(EN)A passivation-layer-forming composition that contains a filler, a liquid medium, a resin, and a compound that can be represented by general formula (I): M(OR1)m. In said formula, M contains at least one metallic element selected from the group consisting of niobium, tantalum, vanadium, yttrium, and hafnium; each R1 independently represents a C1-8 alkyl group or a C6-14 aryl group; and m represents an integer from 1 to 5.
(FR)L'invention concerne une composition formant une couche de passivation qui contient une charge, un milieu liquide, une résine, et un composé qui peut être représenté par la formule générale (I) : M(OR1)m. Dans ladite formule, M contient au moins un élément métallique sélectionné parmi le groupe constitué du niobium, du tantale, du vanadium, de l'yttrium et du hafnium; chaque groupe R1 représente indépendamment un groupe alkyle comprenant 1 à 8 atomes de carbone ou un groupe aryle comprenant 6 à 14 atomes de carbone; et m représente un entier de 1 à 5.
(JA) 一般式(I):M(ORで表される化合物と、フィラーと、液状媒体と、樹脂と、を含むパッシベーション層形成用組成物。一般式(I)中、Mは、Nb、Ta、V、Y及びHfからなる群より選択される少なくとも1種の金属元素を含む。Rはそれぞれ独立して炭素数1~8のアルキル基又は炭素数6~14のアリール基を表す。mは1~5の整数を表す。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)