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1. (WO2014014107) COMPOSITION PERMETTANT DE FORMER UNE COUCHE DE PASSIVATION, SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AVEC COUCHE DE PASSIVATION, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DUDIT SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/014107    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/069697
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 19.07.2013
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), C09K 3/00 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 31/04 (2014.01)
Déposants : HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606 (JP)
Inventeurs : ADACHI, Shuichiro; (JP).
YOSHIDA, Masato; (JP).
NOJIRI, Takeshi; (JP).
KURATA, Yasushi; (JP).
TANAKA, Tooru; (JP).
ORITA, Akihiro; (JP).
HAYASAKA, Tsuyoshi; (JP).
HATTORI, Takashi; (JP).
MATSUMURA, Mieko; (JP).
WATANABE, Keiji; (JP).
MORISHITA, Masatoshi; (JP).
HAMAMURA, Hirotaka; (JP)
Mandataire : TAIYO, NAKAJIMA & KATO; TAIYO, NAKAJIMA & KATO, 3-17, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-160336 19.07.2012 JP
2012-218389 28.09.2012 JP
2013-011934 25.01.2013 JP
2013-040153 28.02.2013 JP
2013-038894 28.02.2013 JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR FORMING PASSIVATION LAYER, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH PASSIVATION LAYER, METHOD FOR PRODUCING SAID SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SOLAR CELL ELEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) COMPOSITION PERMETTANT DE FORMER UNE COUCHE DE PASSIVATION, SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AVEC COUCHE DE PASSIVATION, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DUDIT SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A composition for forming a passivation layer, the composition containing: at least one type of alkoxide represented by general formula (I); at least one compound selected from among a titanium compound, a zirconium compound, and a silicon alkoxide; a solvent; and a resin. General formula (I) is M(OR1)m (wherein, M represents at least one metal element selected from among Nb, Ta, V, Y and Hf; R1 represents a C1-8 alkyl group or a C6-14 aryl group; and m represents an integer between 1 and 5).
(FR)L'invention concerne une composition permettant de former une couche de passivation, la composition contenant : au moins un type d'alcoxyde représenté par la formule générale (I); au moins un composé sélectionné parmi un composé de titane, un composé de zirconium, et un alcoxyde de silicium; un solvant; et une résine. La formule générale (I) est M(OR1)m (M représentant au moins un élément de métal sélectionné parmi Nb, Ta, V, Y et Hf; R1 représentant un groupe alkyle comprenant 1 à 8 atomes de carbone ou un groupe aryle comprenant 6 à 14 atomes de carbone; et m représentant un entier entre 1 et 5).
(JA) 一般式(I)で表されるアルコキシドの少なくとも1種と、チタン化合物、ジルコニウム化合物及びシリコンアルコキシドからなる群より選択される少なくとも1種の化合物と、溶剤と、樹脂と、を含むパッシベーション層形成用組成物。 M(OR)m (I)[一般式(I)中、Mは、Nb、Ta、V、Y及びHfからなる群より選択される少なくとも1種の金属元素を含む。Rは炭素数1~8のアルキル基又は炭素数6~14のアリール基を表す。mは1~5の整数を表す。]
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)