WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014014012) MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/014012    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/069380
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 17.07.2013
CIB :
H01L 25/07 (2006.01), H01L 23/36 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H05K 1/05 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventeurs : TAMADA Yoshiko; (JP).
OKA Seiji; (JP)
Mandataire : MURAKAMI Keigo; 35-8, Minamimukonoso 3-chome, Amagasaki-shi, Hyogo 6610033 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-160113 19.07.2012 JP
Titre (EN) POWER SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) 電力用半導体モジュール
Abrégé : front page image
(EN)This power semiconductor module is provided with: a base plate (2) that is a metal heat dissipating body; a first insulating layer (3) that is provided on the base plate (2); and a first wiring pattern (4) that is provided on the first insulating layer (3). A second wiring pattern (6) in the form of a second layer is laminated on a predetermined region of the first wiring pattern (4) with only a second insulating layer (5) formed of a resin being interposed therebetween, said predetermined region being a part of the first wiring pattern (4), thereby forming a pattern laminated region (X1). A power semiconductor element (7) is mounted on a region of the first wiring pattern (4), said region being other than the pattern laminated region (X1). A power semiconductor module (1) is configured by integrally encapsulating the base plate (2), the first insulating layer (3), the first wiring pattern (4), the second insulating layer (5), the second wiring pattern (6) and the power semiconductor element (7) with use of a transfer mold resin (11).
(FR)L'invention concerne un module semi-conducteur de puissance qui comprend : une plaque de base (2) qui est un corps métallique de dissipation de chaleur ; une première couche d'isolation (3) qui est disposée sur la plaque de base (2) ; et un premier motif de câblage (4) qui est disposé sur la première couche d'isolation (3). Un second motif de câblage (6) dans la forme d'une seconde couche est stratifié sur une région prédéterminée du premier motif de câblage (4) avec seulement une seconde couche d'isolation (5) formée d'une résine étant interposée entre elles, ladite région prédéterminée étant une partie du premier motif de câblage (4), formant ainsi une région stratifiée de motif (X1). Un élément semi-conducteur de puissance (7) est monté sur une région du premier motif de câblage (4), ladite région étant autre que la région stratifiée de motif (X1). Un module semi-conducteur de puissance (1) est configuré en ce qu'il encapsule intégralement la plaque de base (2), la première couche d'isolation (3), le premier motif de câblage (4), la seconde couche d'isolation (5), le second motif de câblage (6) et l'élément semi-conducteur de puissance (7) avec l'utilisation d'une résine de moule de transfert (11).
(JA)金属放熱体であるベース板(2)と、ベース板(2)上に設けられた第1絶縁層(3)と、第1絶縁層(3)上に設けられた第1配線パターン(4)とを備え、第1配線パターン(4)上の一部である所定領域には、樹脂製の第2絶縁層(5)のみを介して2層目の第2配線パターン(6)が積層されてパターン積層領域(X1)を形成している。そして、電力用半導体素子(7)は、第1配線パターン(4)上のパターン積層領域(X1)以外の領域に搭載されている。そしてベース板(2)、第1絶縁層(3)、第1配線パターン(4)、第2絶縁層(5)、第2配線パターン(6)、電力用半導体素子(7)がトランスファーモールド樹脂(11)により一体的に封止されることで電力用半導体モジュール(1)が構成される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)