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1. (WO2014013956) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET FLUIDE DE RINÇAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/013956    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/069225
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 12.07.2013
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01)
Déposants : MITSUI CHEMICALS, INC. [JP/JP]; 5-2, Higashi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1057117 (JP)
Inventeurs : ONO, Shoko; (JP).
KAYABA, Yasuhisa; (JP).
TANAKA, Hirofumi; (JP).
KOHMURA, Kazuo; (JP).
SUZUKI, Tsuneji; (JP)
Mandataire : NAKAJIMA, Jun; TAIYO, NAKAJIMA & KATO, Seventh Floor, HK-Shinjuku Bldg., 3-17, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-158979 17.07.2012 JP
2013-039944 28.02.2013 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND RINSING FLUID
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET FLUIDE DE RINÇAGE
(JA) 半導体装置及びその製造方法並びにリンス液
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device having: a step for applying a semiconductor seal composition on a semiconductor substrate provided with an interlayer insulating layer having a concave section, and wiring containing copper of which at least a portion is exposed on at least a portion of the bottom surface of the concave section, and forming a seal layer on at least the bottom and side surfaces of the concave portion; and a step for thermally treating, at a temperature of 200-425°C, the side surface on which the seal layer of the semiconductor substrate is formed, and removing at least a portion of the seal layer formed on the exposed surface of the wiring. The semiconductor seal composition has a cationic functional group and contains a polymer having a weight-average molecular weight of 2000-1000000, the Na and K content being no more than 10 wt ppb in elemental terms.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur comprenant une étape consistant à : appliquer une composition d'encapsulation de semi-conducteur sur un substrat semi-conducteur doté d'une couche intermédiaire isolante présentant une section concave et un câblage contenant du cuivre dont au moins une partie est exposée sur au moins une partie de la surface inférieure de la section concave, et former une couche d'encapsulation sur au moins les surfaces inférieure et latérales de la partie concave. Ledit procédé comprend en outre une étape consistant à traiter par traitement thermique, à une température allant de 200 à 425 °C, la surface latérale sur laquelle est formée la couche d'encapsulation du substrat semi-conducteur, et éliminer au moins une partie de la couche d'encapsulation formée sur la surface exposée du câblage. Ladite composition d'encapsulation de semi-conducteur comprend un groupe fonctionnel cationique et contient un polymère présentant une masse moléculaire moyenne en poids allant de 2 000 à 1 000 000, la teneur en Na et en K étant inférieure ou égale à 10 parties par milliard en poids en termes élémentaires.
(JA) 本発明では、凹部を有する層間絶縁層と、凹部の底面の少なくとも一部に少なくとも一部が露出する銅を含む配線と、を備えた半導体基板に、カチオン性官能基を有し重量平均分子量が2000~1000000であるポリマーを含有しNa及びKの含有量が元素基準で10質量ppb以下である半導体用シール組成物を付与し、少なくとも凹部の底面及び側面にシール層を形成する工程と、半導体基板のシール層が形成された側の面を、温度200℃以上425℃以下の条件で熱処理し、配線の露出面上に形成されたシール層の少なくとも一部を除去する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)