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1. (WO2014013941) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/013941    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/069058
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 11.07.2013
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : MATSUMOTO, Kenji; (JP).
HAMADA, Tatsufumi; (JP).
MAEKAWA, Kaoru; (US)
Mandataire : ITOH, Tadashige; 16th Floor, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Seimei Building), 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-159652 18.07.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This method for manufacturing a semiconductor device comprises: an insulating film formation step wherein an insulating film is formed on a substrate on which a first conductive film has been formed; a recessed portion formation step wherein the insulating film is provided with a recessed portion and the first conductive film is exposed from a part of the recessed portion; a metal oxide film formation step wherein a metal oxide film is formed so as to cover the insulating film and the first conductive film, said metal oxide film formation step being carried out after the recessed portion formation step; a hydrogen radical processing step wherein the substrate is irradiated with atomic hydrogen, said hydrogen radical processing step being carried out after the metal oxide film formation step; and a second conductive film formation step wherein a second conductive film is formed within the recessed portion.
(FR)Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, comprenant : une étape de formation de film isolant à laquelle un film isolant est formé sur un substrat sur lequel un premier film conducteur a été préalablement formé; une étape de formation de partie renfoncée à laquelle une partie renfoncée est formée dans le film isolant et le premier film conducteur est exposé à partir d'une partie de la partie renfoncée; une étape de formation de film d'oxyde métallique à laquelle un film d'oxyde métallique est formé de manière à couvrir le film isolant et le premier film conducteur, ladite étape de formation de film d'oxyde métallique étant exécutée après l'étape de formation de partie renfoncée; une étape de traitement aux radicaux d'hydrogène à laquelle le substrat est irradié d'hydrogène atomique, ladite étape de traitement aux radicaux d'hydrogène étant exécutée après l'étape de formation de film d'oxyde métallique; et une étape de formation de second film conducteur à laquelle un second film conducteur est formé à l'intérieur de la partie renfoncée.
(JA) 半導体装置の製造方法は、第1導電膜が形成された基板上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜に凹部を形成し、凹部の一部に前記第1導電膜を露出させる凹部形成工程と、前記凹部形成工程の後、前記絶縁膜と前記第1導電膜を覆うように金属酸化膜を形成する金属酸化膜形成工程と、前記金属酸化膜形成工程の後に、前記基板に原子状水素を照射する水素ラジカル処理工程と、前記凹部の内部に第2導電膜を形成する第2導電膜形成工程と、を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)