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1. (WO2014013863) ÉLECTRODE INFÉRIEURE ET APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/013863    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/068166
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 02.07.2013
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), C23C 4/10 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : YAMAMOTO, Takashi; (JP)
Mandataire : SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-158842 17.07.2012 JP
61/674,903 24.07.2012 US
Titre (EN) BOTTOM ELECTRODE AND PLASMA TREATMENT APPARATUS
(FR) ÉLECTRODE INFÉRIEURE ET APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) 下部電極、及びプラズマ処理装置
Abrégé : front page image
(EN)A bottom electrode (2) is provided with a conductive substrate (2a), an electrostatic chuck (6), a focus ring (5), and a conductive sprayed film (100). High-frequency power is applied to the conductive substrate (2a). The electrostatic chuck (6) has an insulating layer (6b) covering an electrode (6a) provided on the top surface of the substrate (2a), and electrostatically attracts a semiconductor wafer (W), which is to be plasma treated, to the insulating layer (6b). The focus ring (5) is arranged so as to surround the periphery of the semiconductor wafer (W) on the top surface of the insulating layer (6b) of the electrostatic chuck (6). The conductive sprayed film (100) is arranged in the portion of the insulating layer (6b) of the electrostatic chuck (6) that is sandwiched by the focus ring (5) and the substrate (2a), titania being formed on the insulating material using a synthetic material blended at a predetermined ratio by weight.
(FR)L'invention concerne une électrode inférieure (2) qui comprend un substrat conducteur (2a), un mandrin électrostatique (6), un anneau de focalisation (5), et un film pulvérisé conducteur (100). Un courant à haute fréquence est appliqué au substrat conducteur (2a). Le mandrin électrostatique (6) possède une couche isolante (6b) qui recouvre une électrode (6a) disposée sur la surface supérieure du substrat (2a) et attire de manière électrostatique une tranche de semi-conducteur (W) qui doit être traitée par plasma, vers la couche isolante (6b). L'anneau de focalisation (5) est agencé de façon à entourer la périphérie de la tranche de semi-conducteur (W) sur la surface supérieure de la couche isolante (6b) du mandrin électrostatique (6). Le film pulvérisé conducteur (100) est agencé dans la partie de la couche isolante (6b) du mandrin électrostatique (6) qui est prise en sandwich par l'anneau de focalisation (5) et le substrat (2a), du dioxyde de titane étant formé sur le matériau isolant à l'aide d'un matériau synthétique mélangé selon un rapport de poids prédéterminé.
(JA) 下部電極2は、導電性の基材2aと、静電チャック6と、フォーカスリング5と、導電性の溶射膜100とを備える。導電性の基材2aは、高周波電力が印加される。静電チャック6は、基材2aの上面に設けられて電極6aを覆う絶縁層6bを有し、プラズマ処理の処理対象となる半導体ウエハWを絶縁層6bに静電吸着する。フォーカスリング5は、静電チャック6の絶縁層6bの上面に、半導体ウエハWの周囲を囲むように配設される。導電性の溶射膜100は、静電チャック6の絶縁層6bのうちフォーカスリング5と基材2aとに挟まれた部分に配設され、絶縁材料にチタニアが所定の重量比率で配合された合成材料を用いて形成される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)