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1. (WO2014013809) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/013809    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/065571
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 05.06.2013
CIB :
H01L 21/228 (2006.01), H01L 21/22 (2006.01)
Déposants : SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585 (JP)
Inventeurs : KATO Shinichi; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg., 4-70, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-160393 19.07.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR TREATING SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法
Abrégé : front page image
(EN)According to this method, a silicon substrate which has a natural oxide film on the surface is heated in a hydrogen atmosphere, whereby both the reduction of silicon dioxide with hydrogen and the hydrogen termination of the silicon present in the neighborhood of the interface with the natural oxide film are conducted. Thus, a hydrogen-containing layer such that the hydrogen is bonded to silicon is formed in the substrate surface. A dopant fluid is fed onto the substrate surface in which the hydrogen-containing layer has been formed, whereby the hydrogen in the hydrogen-containing layer is replaced by the dopant. Thus, the dopant is introduced into the substrate surface. Since the hydrogen-containing layer formed by reducing the natural oxide film is relatively thick, the dopant can be uniformly introduced to a necessary depth of the substrate from the surface thereof. The substrate surface into which the dopant has been introduced is irradiated with a flash of light, whereby the dopant is activated.
(FR)Cette invention concerne un procédé de traitement de substrat comprenant l'étape consistant à chauffer en atmosphère d'hydrogène un substrat de silicium présentant sur sa surface un film d'oxyde naturel de manière à obtenir la réduction du dioxyde de silicium par l'hydrogène ainsi que la terminaison hydrogène du silicium présent dans le voisinage de l'interface avec le film d'oxyde naturel. Ainsi, une surface contenant de l'hydrogène où l'hydrogène est uni au silicium est formée dans la surface du substrat. Un fluide dopant est distribué sur la surface du substrat dans laquelle la couche contenant de l'hydrogène a été formée, de façon à remplacer l'hydrogène dans la couche contenant de l'hydrogène est remplacé par le dopant. Ainsi, le dopant est introduit dans la surface du substrat. Du fait que la couche contenant de l'hydrogène formée par réduction du film d'oxyde naturel est relativement épaisse, le dopant peut s'introduire de manière homogène à une profondeur nécessaire dans le substrat à partir de la surface de ce dernier. Le procédé selon l'invention comprend enfin l'étape consistant à irradier d'un éclair lumineux la surface du substrat dans laquelle le dopant a été introduit afin d'activer le dopant.
(JA) 表面に自然酸化膜が形成された基板を水素雰囲気中にて加熱することによって、二酸化ケイ素を水素で還元している。さらに、自然酸化膜との界面近傍に存在しているシリコンを水素終端している。これにより、シリコンに水素が結合した水素導入層が基板表面に形成される。水素導入層が形成された基板の表面にドーパント液を供給し、水素導入層中の水素をドーパントに置き換えることによって、基板の表面にドーパントが導入される。自然酸化膜の還元によって形成された水素導入層は比較的厚いため、基板の表面から必要とされる深さに均一にドーパントを導入することができる。ドーパントが導入された基板の表面にはフラッシュ光が照射されて、ドーパントが活性化される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)