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1. (WO2014013675) PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/013675    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/003836
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 20.06.2013
CIB :
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/04 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : HOSHI, Ryoji; (JP).
SONOKAWA, Susumu; (JP).
MATSUMOTO, Suguru; (JP).
HODUMI, Hideyoshi; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-158438 17.07.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM
(JA) シリコン単結晶育成方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is a method for growing a silicon single crystal, comprising introducing a polycrystalline silicon raw material and a dope raw material into a quartz crucible and growing a silicon single crystal having a resistivity of 500 Ωcm or more and desired electrical conductivity type from a melt by a CZ method, wherein the dope raw material is produced by cutting from a silicon single crystal containing a dopant element and is introduced in an amount of 1 g or more and less than 10% relative to the total weight of the raw materials to be introduced into the quartz crucible. This method enables the provision of a method for controlling a resistivity, whereby it becomes possible to secure a resistivity of 500 Ωcm or more and a desired electric conductivity type.
(FR)La présente invention concerne un procédé de croissance d'un monocristal de silicium qui consiste à introduire un matériau brut de silicium polycristallin et un matériau brut dopé dans un creuset en quartz et à étirer un monocristal de silicium ayant une résistivité de 500 Ωcm ou plus et un type désiré de conductivité électrique à partir d'une fonte selon un procédé CZ, le matériau brut dopé étant produit par découpe d'un monocristal de silicium contenant un élément dopant et introduit dans une quantité de 1 g ou plus et de moins de 10 % par rapport au poids total des matériaux bruts à introduire dans le creuset en quartz. Cette technique permet de réaliser un procédé de contrôle d'une résistivité, selon lequel il est possible d'obtenir une résistivité de 500 Ωcm ou plus et un type désiré de conductivité électrique.
(JA) 本発明は、CZ法により、石英ルツボ内に、多結晶シリコン原料とともに、ドーパント元素を含むシリコン単結晶から切り出して作製したドープ原料を1g以上で、かつ、石英ルツボに投入される原料の総重量の10%未満で投入し、融液から、抵抗率500Ωcm以上で所望の導電型を有するシリコン単結晶を育成するシリコン単結晶育成方法である。これにより、抵抗率が500Ωcm以上で導電型まで保証可能な抵抗率制御法を提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)