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1. (WO2014013339) SURMONTER DES RÉFLEXIONS MULTIPLES DANS DES CONDITIONNEMENTS ET CONNECTEURS AU NIVEAU DU ROUTAGE DE SIGNAL À LARGE BANDE À GRANDE VITESSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/013339    N° de la demande internationale :    PCT/IB2013/002001
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 16.07.2013
CIB :
H01L 23/66 (2006.01), H05K 1/02 (2006.01)
Déposants : MARVELL WORLD TRADE LTD. [BB/BB]; L'Horizon, Gunsite Road, Brittons Hill St. Michael, BB 14027 (BB)
Inventeurs : BEN ARTSI, Liav; (IL)
Mandataire : KERN, John, S.; Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, L.L.P. 1940 Duke Street Alexandria, VA 22314 (US)
Données relatives à la priorité :
61/672,065 16.07.2012 US
Titre (EN) OVERCOMING MULTIPLE REFLECTIONS IN PACKAGES AND CONNECTORS AT HIGH SPEED BROADBAND SIGNAL ROUTING
(FR) SURMONTER DES RÉFLEXIONS MULTIPLES DANS DES CONDITIONNEMENTS ET CONNECTEURS AU NIVEAU DU ROUTAGE DE SIGNAL À LARGE BANDE À GRANDE VITESSE
Abrégé : front page image
(EN)Discussed herein is a semiconductor package and a method of overcoming multiple reflections while transmitting high speed broadband signals through the semiconductor package. The semiconductor package includes at least one trace having a first terminal that is configured to receive a broadband signal and a second terminal configured to output the broadband signal. The semiconductor package includes a stub which is positioned along a longitudinal length of the trace and is configured to reduce broadband reflections in the trace by causing multi-frequency reflections to destructively interfere with at least some broadband reflections in the trace that occur due to impedance discontinuities. The stub parameters such as stub length, stub impedance and the location of the stub along the trace can be determined to minimize signal degradation.
(FR)La présente invention concerne un conditionnement semi-conducteur et un procédé consistant à surmonter des réflexions multiples tout en émettant des signaux à large bande à grande vitesse à travers le conditionnement semi-conducteur. Le conditionnement semi-conducteur comprend au moins une trace ayant une première borne qui est configurée pour recevoir un signal à large bande et une seconde borne configurée pour émettre le signal à large bande. Le conditionnement semi-conducteur comprend une embase qui est positionnée le long de la longueur longitudinale de la trace et qui est configurée pour réduire les réflexions à large bande dans la trace en faisant interférer destructivement les réflexions multifréquences avec au moins certaines réflexions à large bande dans la trace qui se produisent en raison des discontinuités d'impédance. Les paramètres de l'embase, par exemple la longueur d'embase, l'impédance d'embase et la position de l'embase le long de la trace, peuvent être déterminés pour minimiser la dégradation de signal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)