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1. (WO2014013193) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE MINCE DE NANORELIEFS DE SILICIUM ORDONNES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/013193    N° de la demande internationale :    PCT/FR2013/051716
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 17.07.2013
CIB :
H01L 21/308 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01), B82Y 40/00 (2011.01)
Déposants : UNIVERSITE DE TECHNOLOGIE DE TROYES [FR/FR]; 12 rue Marie Curie F-10010 Troyes Cedex (FR).
UNIVERSITE PIERRE ET MARIE CURIE [FR/FR]; 4 Place Jussieu F-75252 Paris Cedex 05 (FR)
Inventeurs : LERONDEL, Gilles; (FR).
GROSSO, David; (FR).
BOISSIERE, Cédric; (FR)
Mandataire : THOMAS, Nadine; BLETRY & ASSOCIES 23 rue du Renard F-75004 Paris (FR)
Données relatives à la priorité :
1256948 18.07.2012 FR
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING A THIN FILM OF ORDERED SILICON NANOPATTERNS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE MINCE DE NANORELIEFS DE SILICIUM ORDONNES
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for manufacturing a thin film of ordered silicon nanopatterns including the steps of: A) preparing a self-organised reactive nanomask (RNM) consisting of MxM'yOz, referred to as an initial RNM, using an inorganic nanomask INP; B) the liquid deposition of said initial RNM onto a silicon substrate; C) transferring said nanomask MxM'yOz to the silicon substrate by dry etching, by exposing said nanomask MxM'yOz to a fluorinated plasma gas for 0.5 to 4 minutes according to the constitution of said gas, transforming the MxM'yOz into a stable MF2 component referred to as an intermediate nanomask, which enables either a nanoperforated thin film or an ordered lattice of silicon nanowires to be obtained, which have dimensions and a period linked to those of the initial RNM. The invention relates to nanoperforated thin films obtained by the method above, as well as to the use of ordered silicon nanowires for optical and photonic purposes.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche mince de nanoreliefs ordonnés de silicium comprenant les étapes A) préparation d'un nanomasque réactif auto-organisé (RNM) constitué de MxM'yOz nommé RNM initial, en utilisant un nanomasque inorganique INP; B) dépôt par voie liquide dudit RNM initial sur un substrat de silicium; C) transfert dudit nanomasque, MxM'yOz, dans le substrat de silicium par gravure à sec, par exposition dudit nanomasque, MxM'yOz, à un gaz plasma fluoré, entre 0,5 et 4 minutes en fonction de la constitution dudit gaz, transformant le MxM'yOz en un composant stable MF2 nommé nanomasque intermédiaire, qui permet d'obtenir, soit une couche mince nanoperforée soit un réseau ordonné de nanofils de silicium, présentant des dimensions et une périodicité liées à celles du RNM initial. L'invention concerne des couches minces nanoperforées obtenues par le procédé ci-dessus ainsi que l'utilisation de nanofils ordonnés de silicium dans des applications optiques et photoniques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)