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1. (WO2014012334) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE MATRICE ET SUBSTRAT DE MATRICE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/012334    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/086597
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 13.12.2012
CIB :
H01L 21/77 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No. 10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : CHOI, Seungjin; (CN).
KIM, Heecheol; (CN).
SONG, Youngsuk; (CN).
YOO, Seongyeol; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210254735.8 20.07.2012 CN
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD OF ARRAY SUBSTRATE AND ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE MATRICE ET SUBSTRAT DE MATRICE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 阵列基板的制造方法及阵列基板、显示装置
Abrégé : front page image
(EN)A manufacturing method of array substrate and an array substrate and a display device. The manufacturing method of array substrate includes: forming a thin film transistor, a first transparency electrode (14) and a second transparency electrode (19); the first transparency electrode (17) and the second transparency electrode (19) produce multidimensional electric field; the formed first transparency electrode (17) includes that: a metal oxide thin film is formed; the metal oxide thin film has semiconductor characteristic; the part of metal oxide thin film is metallization to form the first transparency electrode (17); the part of untreated metallization is formed semiconductor active layer (141).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de matrice et un substrat de matrice et un dispositif d'affichage. Le procédé de fabrication d'un substrat de matrice consiste : à former un transistor à pellicule mince, une première électrode transparente (14) et une seconde électrode transparente (19); la première électrode transparente (17) et la seconde électrode transparente (19) produisent un champ électrique multidimensionnel; la première électrode transparente (17) formée implique que : une pellicule mince d'oxyde métallique est formée; la pellicule mince d'oxyde métallique a une caractéristique semi-conductrice; une partie de la pellicule mince d'oxyde métallique subit une métallisation pour former la première électrode transparente (17); la partie non traitée par métallisation constitue une couche active semi-conductrice (141).
(ZH)一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示装置。该阵列基板的制造方法包括形成薄膜晶体管、第一透明电极(14)和第二透明电极(19),其中所述第一透明电极(17)和第二透明电极(19)产生多维电场,其中,所述形成第一透明电极(17)包括:形成金属氧化物薄膜,所述金属氧化物薄膜呈半导体特性;通过对部分所述金属氧化物薄膜进行金属化处理而形成第一透明电极(17),未进行所述金属化处理的部分形成半导体有源层(141)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)