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1. (WO2014012324) PROCÉDÉ DE GRAVURE HYBRIDE DESTINÉ À FORMER UN TROU SUR UN SUBSTRAT D'UN DISPOSITIF AU NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/012324    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/086088
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 07.12.2012
CIB :
H01L 21/302 (2006.01)
Déposants : JIANG SU YANG JING GUANG DIAN CO., LTD. [CN/CN]; No.20, Qiao Gang Road, Haian Industrial Park, Hai'an County Nantong, Jiangsu 226600 (CN)
Inventeurs : LIAO, Fengbiao; (CN).
GU, Ling; (CN)
Mandataire : NANJING SUGAO PATENT AND TRADEMARK FIRM (ORDINARY PARTNERSHIP); Suite 1912 Longtaiguoji Mansion No.198 Zhongshandonglu, Baixia District Nanjing, Jiangsu 210005 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210240970.X 16.07.2012 CN
Titre (EN) HYBRID ETCHING METHOD FOR FORMING HOLE ON SUBSTRATE OF NITRIDE DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE HYBRIDE DESTINÉ À FORMER UN TROU SUR UN SUBSTRAT D'UN DISPOSITIF AU NITRURE
(ZH) 一种混合式蚀刻产生氮化物器件衬底的孔洞的方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a hybrid etching method for forming a hole on a substrate of a nitride device. The method comprises the following steps: forming a large part of a hole on a substrate of a nitride device by using laser for a distance not more than 10 microns from the target depth of the hole; and forming the rest part of the hole on the substrate of the nitride device by dry etching, wherein the depth of the rest part is not more than 10 microns. The method features high speed and precision in forming a hole.
(FR)L'invention concerne un procédé de gravure hybride destiné à former un trou sur un substrat d'un dispositif au nitrure. Le procédé comprend les étapes suivantes consistant : à former une grande partie d'un trou sur un substrat d'un dispositif au nitrure au moyen d'un laser sur une distance non supérieure à 10 microns à partir de la profondeur cible du trou ; et à former la partie restante du trou sur le substrat du dispositif au nitrure par gravure sèche, la profondeur de la partie restante n'étant pas supérieure à 10 microns. Le procédé se caractérise par une vitesse et une précision élevées lors de la formation d'un trou.
(ZH)公开了一种混合式蚀刻产生氮化物器件衬底的孔洞的方法,包括如下步骤:使用激光完成对氮化物器件衬底的大部分开孔,距离开孔的目标深度不大于10微米;采用干蚀刻完成氮化物器件衬底剩余部分的开孔,该剩余部分的深度不大于10微米。本发明开孔速度快,精度高。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)