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1. (WO2014012321) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES À CONDUCTION VERTICALE DE SORTIE DE LUMIÈRE ET À SEMI-CONDUCTEUR DU TYPE P ET DU TYPE N
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/012321    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/086085
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 06.12.2012
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : JIANG SU YANG JING GUANG DIAN CO., LTD. [CN/CN]; NO.20, QIAO GANG ROAD, HAIAN INDUSTRIAL PARK, Hai'an County Nantong, Jiangsu 226600 (CN)
Inventeurs : LIAO, Fengbiao; (CN).
GU, Ling; (CN)
Mandataire : NANJING SUGAO PATENT AND TRADEMARK FIRM (ORDINARY PARTNERSHIP); Suite 1912 Longtaiguoji Mansion No.198 Zhongshandonglu, Baixia District Nanjing, Jiangsu 210005 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210247320.8 16.07.2012 CN
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE AND N-TYPE SEMICONDUCTOR LIGHT-OUTPUT VERTICAL CONDUCTION LIGHT-EMITTING DIODES
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES À CONDUCTION VERTICALE DE SORTIE DE LUMIÈRE ET À SEMI-CONDUCTEUR DU TYPE P ET DU TYPE N
(ZH) P型、n型半导体出光垂直传导发光二极管的制造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a p-type semiconductor light-output vertical conduction light-emitting diode (LED). The method comprises the following steps: providing a substrate, epitaxially growing a luminous structure of the LED on the front side of the substrate, the luminous structure comprising a gallium nitride buffer layer and a gallium nitride LED epitaxial layer which are sequentially formed, and the gallium nitride LED epitaxial layer comprising an n-type gallium nitride layer, a luminous layer and a p-type gallium nitride layer which are sequentially arranged; forming a p-electrode structure on the p-type gallium nitride layer, the p-electrode structure comprising a transparent electrode and a p-pad which are sequentially arranged; forming a hole on the back side of the substrate, and remaining on the n-type gallium nitride layer; and forming an n-electrode structure on the back side of the substrate, the n-electrode structure comprising a transparent electrode, a reflecting metal layer and a joint metal layer which are sequentially arranged. Also disclosed is a method for manufacturing an n-type semiconductor light-output vertical conduction LED. By means of the present invention, the light-output amount and the luminous efficiency of the vertical conduction nitride LED can be improved.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une diode électroluminescente (DEL) à conduction verticale de sortie de lumière et à semi-conducteur du type pn. Ce procédé comprend les étapes suivantes consistant à : fournir un substrat, mettre en œuvre la culture épitaxiale d'une structure lumineuse de la DEL sur le côté avant du substrat, cette structure lumineuse comprenant une couche tampon au nitrure de gallium et une couche épitaxiale de DEL au nitrure de gallium qui sont formées l'une à la suite de l'autre, et la couche épitaxiale de DEL au nitrure de gallium comprenant une couche au nitrure de gallium du type n, une couche lumineuse et une couche au nitrure de gallium du type p qui sont agencées les unes à la suite des autres ; former une structure d'électrode p sur la couche au nitrure de gallium du type p, la structure d'électrode p comprenant une électrode transparente et une pastille p qui sont agencées l'une à la suite de l'autre ; former un trou sur le côté arrière du substrat, et rester sur la couche au nitrure de gallium du type n ; et former une structure d'électrode n sur le côté arrière du substrat, la structure d'électrode n comprenant une électrode transparente, une couche métallique réfléchissante et une couche métallique de jonction qui sont agencées les unes à la suite des autres. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une DEL à conduction verticale de sortie de lumière à semi-conducteur du type n. La présente invention permet d'améliorer la quantité de sortie de lumière et l'efficacité lumineuse de la DEL au nitrure à conduction verticale.
(ZH)本发明公开了一种p型半导体出光垂直传导发光二极管的制造方法,包括如下步骤:提供一衬底,在该衬底的正面外延成长发光二极管的发光结构,该发光结构包括依次形成的氮化镓缓冲层和氮化镓发光二极管磊晶层,其中氮化镓发光二极管磊晶层包括依次设置的n型氮化镓层、发光层和p型氮化镓层;在p型氮化镓层上形成p-电极结构,该p-电极结构包括依次设置的透明电极和p-焊盘;在衬底背面打孔,停留在n型氮化镓层;在衬底背面形成n-电极结构,该n-电极结构包括依次设置的透明电极、反射金属层和接合金属层。本发明还公开了一种n型半导体出光垂直传导发光二极管的制造方法。本发明能增加垂直传导氮化物LED的出光量与发光效率。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)