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1. (WO2014012320) TRANSISTOR À COUCHE MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/012320    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/085988
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 06.12.2012
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No. 10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : LIU, Zheng; (CN).
LONG, Chunping; (CN).
IM, Jang Soon; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210254749.X 20.07.2012 CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR À COUCHE MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to the technical field of displaying. Provided are a thin film transistor and a manufacturing method thereof, an array substrate, and a display device, which do not cause damages to an active layer (12) when a through-hole (16) is respectively formed above a source area (120) and a drain area (121) by using a through-hole etching process. The thin film transistor (1) comprises a substrate (10), the active layer (12) provided on the substrate (10), a gate insulating layer (13), a gate (14) and an interlayer insulating layer (17), and further comprises a conductive etching stop layer (15) provided on the active layer (12). The position of the conductive etching stop layer (15) corresponds to the source area (120) and the drain area (121) of the active layer (12), the through-hole (16) is respectively formed above the source area (120) and the drain area (121) of the active layer (12), and the through-hole (16) does not extend out of the edge of the conductive etching stop layer (15).
(FR)La présente invention concerne le domaine technique de l'affichage, et fournit un transistor à couche mince et son procédé de fabrication, un substrat de réseau et un dispositif d'affichage, lesquels n'endommagent pas une couche active (12) lorsqu'un trou débouchant (16) est formé respectivement au-dessus d'une zone de source (120) et d'une zone de drain (121) au moyen d'un processus de gravure de trou débouchant. Le transistor à couche mince (1) comprend un substrat (10), la couche active (12) agencée sur le substrat (10), une couche d'isolation de grille (13), une grille (14) et une couche isolante (17) disposée entre les couches, et comprend en outre une couche conductrice d'arrêt de gravure (15) agencée sur la couche active (12). La position de la couche conductrice d'arrêt de gravure (15) correspond à la zone de source (120) et à la zone de drain (121) de la couche active (12), le trou traversant (16) étant formé respectivement au-dessus de la zone de source (120) et de la zone de drain (121) de la couche active (12), et le trou débouchant (16) ne s'étendant pas à l'extérieur du bord de la couche conductrice d'arrêt de gravure (15).
(ZH)提供薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置,涉及显示技术领域,能够当过孔刻蚀工艺在源极区(120)、漏极区(121)上方形成过孔(16)时,不破坏有源层(12)。薄膜晶体管(1),包括基板(10)、设置于所述基板(10)上的有源层(12)、栅绝缘层(13)、栅极(14)以及层间绝缘层(17),还包括:设置于所述有源层(12)上的导电刻蚀阻挡层(15);所述导电刻蚀阻挡层(15)的位置与所述有源层(12)的源极区(120)、漏极区(121)相对应,在所述有源层(12)的源极区(120)、漏极区(121)上方形成有过孔(16),且该过孔(16)不超过所述导电刻蚀阻挡层(15)的边缘。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)