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1. (WO2014012306) STRUCTURE DE TEST POUR PROPRIÉTÉS DE TRANSISTOR ET PROCÉDÉ DE TEST UTILISANT CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/012306    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/083892
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 31.10.2012
CIB :
G01R 31/26 (2014.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN).
HEFEI BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.2177 Tonglingbei Road Hefei, Anhui 230012 (CN)
Inventeurs : WEI, Zhen; (CN).
GUO, Shibo; (CN).
ZHANG, Xiaosong; (CN).
CHEN, Qingyou; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210254423.7 20.07.2012 CN
Titre (EN) TESTING STRUCTURE FOR TRANSISTOR PROPERTIES AND TESTING METHOD USING SAME
(FR) STRUCTURE DE TEST POUR PROPRIÉTÉS DE TRANSISTOR ET PROCÉDÉ DE TEST UTILISANT CELLE-CI
(ZH) 晶体管特性测试结构及采用该结构的测试方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a testing structure for transistor properties and a test method using same, which can simplify the test for the properties of a thin-film transistor. The structure comprises a connection unit used for array detection and a plurality of conductor washers for the transistor test. The plurality of conductor washers for the transistor test comprises a conductor washer for the gate of the transistor and a conductor washer for the source of the transistor. The conductor washer for the gate of the transistor and the conductor washer for the source of the transistor are respectively connected to a gate line and a data line through the connection unit.
(FR)La présente invention porte sur une structure de test pour des propriétés de transistor et sur un procédé de test utilisant celle-ci, qui peuvent simplifier le test pour les propriétés d'un transistor en couches minces. La structure comprend une unité de connexion utilisée pour une détection de réseau et une pluralité de rondelles conductrices pour le test de transistor. La pluralité de rondelles conductrices pour le test de transistor comprend une rondelle conductrice pour la grille du transistor et une rondelle conductrice pour la source du transistor. La rondelle conductrice pour la grille du transistor et la rondelle conductrice pour la source du transistor sont respectivement connectées à une ligne de grille et une ligne de données par l'unité de connexion.
(ZH)本发明的实施例公开了一种晶体管特性测试结构及釆用该结构的测试方法,可使得薄膜晶体管特性测试更加简便。该结构包括用于阵列检测的连接单元和多个晶体管测试导体垫片;所述多个晶体管测试导体垫片包括晶体管栅极导体垫片和晶体管源极导体垫片;所述晶体管栅极导体垫片和晶体管源极导体垫片通过所述连接单元分别连接于栅线和数据线。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)