WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014012276) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/012276    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/079402
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 31.07.2012
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No. 3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN) (Tous Sauf US).
QIN, Changliang [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
HONG, Peizhen [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
YIN, Huaxiang [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : QIN, Changliang; (CN).
HONG, Peizhen; (CN).
YIN, Huaxiang; (CN)
Mandataire : CHINA SCIENCE PATENT AND TRADEMARK AGENT LTD.; 11/F., Bldg. D, International Finance and Economics Center No.87, West 3rd Ring North Rd., Haidian District Beijing 100089 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210246706.7 16.07.2012 CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(ZH) 半导体器件制造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor device fabrication method. The method comprises the following steps: forming a gate stack structure (2) on a substrate (1); etching the substrate (1) at the both side of the gate stack structure (2), and forming a C-shaped source-drain groove (1B); and wet etching the C-shaped source-drain groove (1C), and forming a ∑-shaped source-drain groove (1B). The method effectively increases the stress of the channel region and precisely controls the depth of the source-drain groove, decreases the defects, reduces the roughness of the side wall and the bottom of the groove and improves the performance of the device.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur. Le procédé comprend les étapes suivantes qui consistent à : former une structure d'empilement de grille (2) sur un substrat (1) ; graver le substrat (1) au niveau des deux côtés de la structure d'empilement de grille (2), et former une rainure source-drain en forme de C (1B) ; graver par voie humide la rainure source-drain en forme de C (1C) et former une rainure source-drain en forme de sigma (1B). Le procédé augmente efficacement la contrainte de la région de canal et régule avec précision la profondeur de la rainure de source-drain, diminue les défauts, réduit la rugosité de la paroi latérale et du fond de la rainure et améliore la performance du dispositif.
(ZH)提供一种半导体器件制造方法。该方法包括以下步骤:在衬底(1)上形成栅极堆叠结构(2);刻蚀栅极堆叠结构(2)两侧的衬底(1),形成C型源漏凹槽(1B);湿法腐蚀C型源漏凹槽(1B),形成∑型源漏凹槽(1C)。该方法有效增大了沟道区应力并且精确控制了源漏凹槽深度、减小了缺陷,降低凹槽的侧壁和底部的粗糙度,提高了器件性能。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)