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1. (WO2014012136) FABRICATION DE CIRCUIT CMOS D'UN RÉSONATEUR ACOUSTIQUE À FILM MINCE NON ÉPITAXIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/012136    N° de la demande internationale :    PCT/AU2013/000785
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 15.07.2013
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H01L 27/02 (2006.01), H01L 41/107 (2006.01), H01L 41/187 (2006.01), H01L 41/25 (2013.01), H01L 41/297 (2013.01), H01L 41/311 (2013.01), H01L 41/316 (2013.01), H03H 3/02 (2006.01), H03H 9/17 (2006.01)
Déposants : THE SILANNA GROUP PTY LTD [AU/AU]; c/- Fisher Adams Kelly Level 29 12 Creek Street Brisbane, Queensland 4000 (AU)
Inventeurs : BRAWLEY, Andrew J.; (AU)
Mandataire : FISHER ADAMS KELLY; Level 29 12 Creek Street Brisbane, Queensland 4001 (AU)
Données relatives à la priorité :
61/671,919 16.07.2012 US
Titre (EN) CMOS FABRICATION OF A THIN-FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR
(FR) FABRICATION DE CIRCUIT CMOS D'UN RÉSONATEUR ACOUSTIQUE À FILM MINCE NON ÉPITAXIÉ
Abrégé : front page image
(EN)A process of forming a thin-film bulk acoustic resonator (FBAR) device (130, 914) on a silicon-on-thin film aluminum-nitride on silicon (SOFTANOS) substrate (110) using a CMOS fabrication process is provided. The SOFTANOS substrate, which is an example of a high thermal conductivity silicon-on-insulator (SOI) substrate, comprises an aluminum nitride (AlN) layer (114) and a silicon layer (118). The AlN layer has low electrical conductivity, high thermal conductivity, and good piezoelectric properties. A CMOS device (140, 910) is formed in the silicon layer, and the FBAR device is formed in the AlN layer.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de former un dispositif de résonateur acoustique à film mince non épitaxié (résonateur FBAR) (130, 914) sur un substrat de silicium sur mince film de nitrure d'aluminium sur silicium (substrat SOFTANOS) (110) en se servant d'un procédé de fabrication CMOS. Le substrat SOFTANOS, qui est un exemple de substrat de silicium sur isolant (substrat SOI) à conductivité thermique élevée, comprend une couche de nitrure d'aluminium (AlN) (114) et une couche de silicium (118). La couche d'AlN présente une faible conductivité électrique, une conductivité thermique élevée, et de bonnes propriétés piézoélectriques. Un dispositif CMOS (140, 910) est formé dans la couche de silicium, et le dispositif de résonateur FBAR est formé dans la couche d'AlN.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)