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1. (WO2014012024) BANDES INTERDITES MANIPULÉES SOUS CONTRAINTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/012024    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/050325
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 12.07.2013
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02139 (US).
PEKING UNIVERSITY [CN/CN]; No. 5 Yiheyuan Road Haidian District Beijing, 100871 (CN)
Inventeurs : LI, Ju; (US).
QIAN, Xiaofeng; (US).
FENG, Ji; (CN)
Mandataire : OYER, Timothy, J.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C. 600 Atlantic Avenue Boston, MA 02210-2206 (US)
Données relatives à la priorité :
61/670,752 12.07.2012 US
Titre (EN) STRAIN ENGINEERED BAND GAPS
(FR) BANDES INTERDITES MANIPULÉES SOUS CONTRAINTE
Abrégé : front page image
(EN)An optoelectronic device as well as its methods of use and manufacture are disclosed. In one embodiment, the optoelectronic device includes a first optoelectronic material that is inhomogeneously strained. A first charge carrier collector and a second charge carrier collector are each in electrical communication with the first optoelectronic material and are adapted to collect charge carriers from the first optoelectronic material. In another embodiment, a method of photocatalyzing a reaction includes using a strained optoelectronic material.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif optoélectronique ainsi que sur ses procédés d'utilisation et de fabrication. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend une première matière optoélectronique qui est contrainte de manière non homogène. Un premier collecteur de porteurs de charges et un second collecteur de porteurs de charges sont chacun en communication électrique avec la première matière optoélectronique et sont conçus pour capter des porteurs de charges provenant de la première matière optoélectronique. Selon un autre mode de réalisation, un procédé de photocatalyse d'une réaction comprend l'utilisation d'une matière optoélectronique contrainte.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)