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1. (WO2014011914) LASER, GRAVURE LASER ET PROCESSUS DE BROYAGE CÔTÉ ARRIÈRE POUR DÉCOUPAGE EN DÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/011914    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/050123
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 11.07.2013
CIB :
H01L 21/301 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : LEI, Wei-Sheng; (US).
EATON, Brad; (US).
YALAMANCHILI, Madhava Rao; (US).
SINGH, Saravjeet; (US).
KUMAR, Ajay; (US)
Mandataire : BERNADICOU, Michael A.; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, California 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
61/671,617 13.07.2012 US
61/790,976 15.03.2013 US
13/938,537 10.07.2013 US
Titre (EN) LASER, PLASMA ETCH, AND BACKSIDE GRIND PROCESS FOR WAFER DICING
(FR) LASER, GRAVURE LASER ET PROCESSUS DE BROYAGE CÔTÉ ARRIÈRE POUR DÉCOUPAGE EN DÉS
Abrégé : front page image
(EN)Front side laser scribing and plasma etch are performed followed by back side grind to singulate integrated circuit chips (ICs). A mask is formed covering ICs formed on the wafer, as well as any bumps providing an interface to the ICs. The mask is patterned by laser scribing to provide a patterned mask with gaps. The patterning exposes regions of the semiconductor wafer, below thin film layers from which the ICs are formed. The semiconductor wafer is then etched through the gaps in the patterned mask to advance a front of an etched trench partially through the semiconductor wafer thickness. The front side mask is removed, a backside grind tape applied to the front side, and a back side grind performed to reach the etched trench, thereby singulating the ICs.
(FR)Selon la présente invention, une écriture laser et une gravure plasma côté avant sont effectuées, puis sont suivies par un broyage côté arrière pour découper des puces de circuits intégrés (CI). Un masque est formé recouvrant des CI formés sur la tranche, ainsi que de quelconques bossages, fournissant une interface aux CI. Le masque est modélisé par écriture laser pour fournir un masque modélisé ayant des intervalles. La modélisation expose des régions du semi-conducteur étagé, au-dessous de couches de film mince à partir desquelles les CI sont formés. Le semi-conducteur étagé est ensuite gravé à travers les intervalles dans le masque modélisé pour faire avancer un front d'une tranchée gravée partiellement à travers l'épaisseur de semi-conducteur étagé. Le masque côté avant est retiré, une bande de broyage côté arrière est appliquée sur le côté avant et un broyage côté arrière est effectué pour atteindre la tranchée gravée, découpant ainsi les CI.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)