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1. (WO2014011678) COMPOSITIONS ET PROCÉDÉS POUR LE POLISSAGE SÉLECTIF DE MATÉRIAUX DE NITRURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/011678    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/049786
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 09.07.2013
CIB :
C09K 3/14 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION [US/US]; Legal Department 870 North Commons Drive Aurora, Illinois 60504 (US)
Inventeurs : WARD, William; (US)
Mandataire : WESEMAN, Steven; Cabot Microelectronics Corporation 870 North Commons Drive Aurora, Illinois 60504 (US)
Données relatives à la priorité :
13/546,552 11.07.2012 US
Titre (EN) COMPOSITIONS AND METHODS FOR SELECTIVE POLISHING OF SILICON NITRIDE MATERIALS
(FR) COMPOSITIONS ET PROCÉDÉS POUR LE POLISSAGE SÉLECTIF DE MATÉRIAUX DE NITRURE DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides an acidic aqueous polishing composition suitable for polishing a silicon nitride-containing substrate in a chemical-mechanical polishing (CMP) process. The composition, at point of use, preferably comprises 0.01 to 2 percent by weight of at least one particulate ceria abrasive, 10 to 1000 ppm of at least one non-polymeric unsaturated nitrogen heterocycle compound, 0 to 1000 ppm of at least one cationic polymer, optionally, 0 to 2000 ppm of at least one polyoxyalkylene polymer, and an aqueous carrier therefor. The cationic polymer preferably is selected from a poly(vinylpyridine) polymer, a quaternary ammonium-substituted acrylate polymer, a quaternary ammonium-substituted methacrylate polymer, or a combination thereof. Methods of polishing substrates and of selectively removing silicon nitride from a substrate in preference to removal of polysilicon using the compositions are also provided.
(FR)La présente invention concerne une composition acide aqueuse de polissage appropriée pour le polissage d'un substrat contenant du nitrure de silicium dans un procédé de polissage mécano-chimique (CMP). La composition, au point d'utilisation, comprend de préférence 0,01 à 2 pour cent en poids d'au moins un abrasif particulaire d'oxyde de cérium, 10 à 1000 ppm d'au moins un composé hétérocyclique d'azote insaturé non polymère, 0 à 1000 ppm d'au moins un polymère cationique, facultativement, 0 à 2000 ppm d'au moins un polymère de polyoxyalkylène, et un support aqueux associé. Le polymère cationique est de préférence sélectionné parmi un polymère de poly(vinylpyridine), un polymère d'acrylate substitué par de l'ammonium quaternaire, un polymère de méthacrylate substitué par de l'ammonium quaternaire ou une combinaison de ceux-ci. L'invention concerne aussi des procédés de polissage de substrats et d'élimination sélective de nitrure de silicium à partir d'un substrat de préférence à l'élimination de polysilicium en utilisant les compositions.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)