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1. (WO2014011533) INVERSION DE PRÉCESSION DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE À TRANSFERT DE SPIN ORTHOGONAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/011533    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/049556
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 08.07.2013
CIB :
G11C 11/16 (2006.01)
Déposants : NEW YORK UNIVERSITY [US/US]; One Park Avenue, 6th Floor New York, New York 10016 (US)
Inventeurs : BEDAU, Daniel; (US).
LIU, Huanlong; (US).
KENT, Andrew David; (US)
Mandataire : MARTIN, Matthew E.; Foley & Lardner LLP 3000 K Street, N.W., Ste., 600 Washington D.C., District of Columbia 20007-5109 (US)
Données relatives à la priorité :
61/669,963 10.07.2012 US
Titre (EN) PRECESSIONAL REVERSAL IN ORTHOGONAL SPIN TRANSFER MAGNETIC RAM DEVICES
(FR) INVERSION DE PRÉCESSION DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE À TRANSFERT DE SPIN ORTHOGONAL
Abrégé : front page image
(EN)Orthogonal spin-torque bit cells whose spin torques from a perpendicular polarizer and an in-plane magnetized reference layer are constructively or destructively combined. An orthogonal spin-torque bit cell includes a perpendicular magnetized polarizing layer configured to provide a first spin-torque; an in-plane magnetized free layer and a reference layer configured to provide a second spin-torque. The first spin-torque and the second spin-torque combine and the combined first spin-torque and second spin-torque influences the magnetic state of the in-plane magnetized free layer. The in-plane magnetized free layer and the reference layer form a magnetic tunnel junction. The first spin-torque and second spin-torque can combine constructively to lower a switching current, increase a switching speed, and/or torque decrease an operating energy of the orthogonal spin-torque bit cell.
(FR)L'invention concerne des cellules binaires à transfert de spin orthogonal dont les couples de spin issus d'un polariseur perpendiculaire et d'une couche de référence à aimantation dans le plan sont combinés d'une manière constructive ou destructive. Une cellule binaire à transfert de spin orthogonal comprend une couche de polarisation à aimantation perpendiculaire configurée pour fournir un premier couple de spin ; une couche libre à aimantation dans le plan et une couche de référence configurée pour fournir un second couple de spin. Le premier couple de spin et le second couple de spin se combinent et le premier couple de spin et le second couple de spin combinés ont une influence sur l'état magnétique de la couche libre à aimantation dans le plan. La couche libre à aimantation dans le plan et la couche de référence forment une jonction tunnel magnétique. Le premier couple de spin et le second couple de spin peuvent se combiner d'une manière constructive pour réduire un courant de commutation, augmenter une vitesse de commutation et/ou réduire le couple d'une énergie d'actionnement de la cellule binaire à transfert de spin orthogonal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)