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1. (WO2014011415) DISPOSITIF NON-ET TRIDIMENSIONNEL ET PROCÉDÉ DE SÉPARATION DE COUCHE DE PIÉGEAGE DE CHARGES ET DE FORMATION DE GRILLE FLOTTANTE DANS LE DISPOSITIF NON-ET
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/011415    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/048508
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 28.06.2013
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : SANDISK TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, Texas 75024 (US)
Inventeurs : MAKALA, Raghuveer S.; (US).
ALSMEIER, Johann; (US).
LEE, Yao-Sheng; (US)
Mandataire : RADOMSKY, Leon; The Marbury Law Group, PLLC 11800 Sunrise Valley Drive 15th Floor Reston, Virginia 20191 (US)
Données relatives à la priorité :
13/544,328 09.07.2012 US
Titre (EN) THREE DIMENSIONAL NAND DEVICE AND METHOD OF CHARGE TRAP LAYER SEPARATION AND FLOATING GATE FORMATION IN THE NAND DEVICE
(FR) DISPOSITIF NON-ET TRIDIMENSIONNEL ET PROCÉDÉ DE SÉPARATION DE COUCHE DE PIÉGEAGE DE CHARGES ET DE FORMATION DE GRILLE FLOTTANTE DANS LE DISPOSITIF NON-ET
Abrégé : front page image
(EN)A monolithic three dimensional NAND string includes a vertical semiconductor channel and a plurality of control gate electrodes in different device levels. The string also includes a blocking dielectric layer, a charge storage region and a tunnel dielectric. A first control gate electrode is separated from a second control gate electrode by an air gap located between the major surfaces of the first and second control gate electrodes and/or the charge storage region includes silicide nanoparticles embedded in a charge storage dielectric.
(FR)La présente invention porte sur une chaîne NON-ET tridimensionnelle monolithique qui comprend un canal de semi-conducteur vertical et une pluralité d'électrodes de grille de commande dans différents niveaux de dispositif. La chaîne comprend également une couche de diélectrique de piégeage, une région de stockage de charges et un diélectrique de tunnel. Une première électrode de grille de commande est séparée d'une seconde électrode de grille de commande par un entrefer localisé entre les surfaces principales des première et seconde électrodes de grille de commande et/ou la région de stockage de charges comprend des nanoparticules de siliciure intégrées dans un diélectrique de stockage de charges.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)