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1. (WO2014011364) PROCÉDÉ DE RÉDUCTION DE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE D'UN FILM POREUX À FAIBLE K
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/011364    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/046285
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 18.06.2013
CIB :
H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (Tous Sauf US).
CHAN, Kelvin [CN/US]; (US) (US only).
XU, Jin [CN/US]; (US) (US only).
YIM, Kang Sub [KR/US]; (US) (US only).
DEMOS, Alexandros T. [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : CHAN, Kelvin; (US).
XU, Jin; (US).
YIM, Kang Sub; (US).
DEMOS, Alexandros T.; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, LLP 24 Greenway Plaza, Suite 1600 Houston, TX 77046 (US)
Données relatives à la priorité :
61/671,191 13.07.2012 US
Titre (EN) METHOD TO REDUCE DIELECTRIC CONSTANT OF A POROUS LOW-K FILM
(FR) PROCÉDÉ DE RÉDUCTION DE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE D'UN FILM POREUX À FAIBLE K
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the present invention generally relate to methods for lowering the dielectric constant of low-k dielectric films used in semiconductor fabrication. In one embodiment, a method for lowering the dielectric constant (k) of a low-k silicon-containing dielectric film, comprising exposing a porous low-k silicon-containing dielectric film to a hydrofluoric acid solution and subsequently exposing the low-k silicon-containing dielectric film to a silylation agent. The silylation agent reacts with Si-OH functional groups in the porous low-k dielectric film to increase the concentration of carbon in the low-k dielectric film.
(FR)Des modes de réalisation de la présente invention concernent généralement des procédés de diminution de la constante diélectrique de films diélectriques à faible k utilisés dans la fabrication de semi-conducteurs. Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un procédé de diminution de la constante diélectrique (k) d'un film diélectrique contenant du silicium à faible k, comprenant l'exposition d'un film diélectrique poreux contenant du silicium à faible k à une solution d'acide fluorhydrique et l'exposition ultérieure du film diélectrique contenant du silicium à faible k à un agent de silylation. L'agent de silylation réagit avec des groupes fonctionnels Si-OH dans le film diélectrique poreux à faible k pour augmenter la concentration de carbone dans le film diélectrique à faible k.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)