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1. (WO2014011340) COMPENSATION DE TEMPÉRATURE DE JONCTION DE DIODE LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/011340    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/045216
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 11.06.2013
CIB :
G03B 21/14 (2006.01)
Déposants : MICROVISION, INC. [US/US]; 6222 185th Ave NE Redmond, WA 98052 (US)
Inventeurs : ROTHAAR, Bruce, C.; (US).
ZIMMERMAN, Dale, Eugene; (US).
SANDGATHE, Joel; (US)
Mandataire : WILLS, Kevin, D.; 6222 185th Ave. NE Redmond, WA 98052 (US)
Données relatives à la priorité :
13/544,556 09.07.2012 US
Titre (EN) LASER DIODE JUNCTION TEMPERATURE COMPENSATION
(FR) COMPENSATION DE TEMPÉRATURE DE JONCTION DE DIODE LASER
Abrégé : front page image
(EN)A projection apparatus (300) includes at least one laser diode (360) and a laser diode junction temperature estimator (310) to estimate the junction temperature of the at least one laser diode. Laser diode current drive values are modified in response to the estimated laser junction temperature. The modification of laser diode current drive values may occur as frequently as once per pixel.
(FR)La présente invention porte sur un appareil de projection (300) qui comprend au moins une diode laser (360) et un estimateur de température de jonction de diode laser (310) pour estimer la température de jonction de l'au moins une diode laser. Des valeurs de commande de courant de diode laser sont modifiées en réponse à la température de jonction de laser estimée. La modification de valeurs de commande de courant de diode laser peut se produire aussi fréquemment qu'une fois par pixel.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)