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1. (WO2014011247) MATÉRIAUX D'ÉLECTRODE ET CONFIGURATIONS POUR DISPOSITIFS THERMOÉLECTRIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/011247    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/033247
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 21.03.2013
CIB :
H01L 35/18 (2006.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02139 (US).
TRUSTEES OF BOSTON COLLEGE [US/US]; 140 Commonwealth Avenue Chestnut Hill, MA 02467 (US)
Inventeurs : MUTO, Andrew; (US).
CHEN, Gang; (US).
REN, Zhifeng; (US).
YANG, Jian; (US)
Mandataire : BLACKWELL, Brandon, S.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C. 600 Atlantic Avenue Boston, MA 02210-2206 (US)
Données relatives à la priorité :
13/428,971 23.03.2012 US
Titre (EN) ELECTRODE MATERIALS AND CONFIGURATIONS FOR THERMOELECTRIC DEVICES
(FR) MATÉRIAUX D'ÉLECTRODE ET CONFIGURATIONS POUR DISPOSITIFS THERMOÉLECTRIQUES
Abrégé : front page image
(EN)Thermoelectric devices and associated materials and assembly methods are generally described. Certain aspects relate to electrode materials and electrode configurations for use in thermoelectric devices. In some embodiments, the inventive thermoelectric devices comprise electrodes comprising silicon, such as silicides of cobalt, iron, and/or nickel. Such electrode materials can be useful for making electrical contact with a wide variety of thermoelectric materials, including skutterudite materials. The thermoelectric devices described herein can be used to convert applied voltages to thermal gradients and or to convert thermal gradients to electricity.
(FR)L'invention concerne des dispositifs thermoélectriques et des matériaux et des procédés d'assemblage associés. Certains aspects concernent des matériaux d'électrode et des configurations d'électrode pour utilisation dans des dispositifs thermoélectriques. Selon certains modes de réalisation, les dispositifs thermoélectriques inventifs comprennent des électrodes contenant du silicium, tel que des siliciures de cobalt, de fer, et/ou de nickel. De tels matériaux d'électrode peuvent être utiles pour effectuer un contact électrique avec une large variété de matériaux thermoélectriques, y compris des matériaux de type skuttérudite. Les dispositifs thermoélectriques décrits ici peuvent être utilisés pour convertir des tensions appliquées en des gradients thermiques et/ou pour convertir des gradients thermiques en électricité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)