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1. (WO2014011232) EMBASE DE SEMI-CONDUCTEUR À MÉTALLISATION SÉLECTIVE DIRECTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/011232    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/031395
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 14.03.2013
CIB :
H01L 23/48 (2006.01), H01L 23/552 (2006.01)
Déposants : HSIO TECHNOLOGIES, LLC [US/US]; 13300 67th Avenue North Maple Grove, Minnesota 55311 (US)
Inventeurs : RATHBURN, James; (US)
Mandataire : SCHWAPPACH, Karl G.; STOEL RIVES LLP 201 So. Main Street, Suite 1100 Salt Lake City, Utah 84111 (US)
Données relatives à la priorité :
61/670,765 12.07.2012 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR SOCKET WITH DIRECT SELECTIVE METALIZATION
(FR) EMBASE DE SEMI-CONDUCTEUR À MÉTALLISATION SÉLECTIVE DIRECTE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor socket including a substrate with a plurality of through holes extending from a first surface to a second surface. A conductive structure is disposed within the through holes A plurality of discrete contact members are located in the plurality of the through holes, within the conductive structure. The plurality of contact members each include a proximal end accessible from the second surface, and a distal end extending above the first surface. The conductive structure can be electrically coupled to circuit geometry. At least one dielectric layer is bonded to the second surface of the substrate with recesses corresponding to desired circuit geometry. A conductive material deposited in at least a portion of the recesses to form conductive traces redistributing terminal pitch of the proximal ends of the contact members.
(FR)L'invention concerne une embase de semi-conducteur comprenant un substrat ayant une pluralité de trous traversants s'étendant d'une première surface vers une seconde surface. Une structure conductrice est disposée dans les trous traversants. Une pluralité d'éléments de contact discrets sont situés dans la pluralité de trous traversants, dans la structure conductrice. La pluralité d'éléments de contacts comprennent chacun une extrémité proximale accessible à partir de la seconde surface, et une extrémité distale s'étendant au-dessus de la première surface. La structure conductrice peut être électriquement couplée à une géométrie de circuit. Au moins une couche diélectrique est liée à la seconde surface du substrat avec des renfoncements correspondant à la géométrie de circuit désirée. Un matériau conducteur est déposé dans au moins une partie des renfoncements pour former des pistes conductrices redistribuant un pas de bornes des extrémités proximales des éléments de contact.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)