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1. (WO2014010825) APPAREIL POUR L'AFFINAGE DU SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/010825    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/004545
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 23.05.2013
CIB :
C01B 33/037 (2006.01), C01B 33/021 (2006.01), B01J 19/12 (2006.01)
Déposants : KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH [KR/KR]; 71-2 Jang-dong Yuseong-gu Daejeon 305-343 (KR)
Inventeurs : LEE, Jin Seok; (KR).
AHN, Young Soo; (KR).
JANG, Bo Yun; (KR).
KIM, Joon Soo; (KR)
Mandataire : KO, Young Kap; #809 MS Plaza, 21-1, Sunae-dong, Bundang-gu Seongnam-si Gyeonggi-do 463-825 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0075044 10.07.2012 KR
Titre (EN) SILICON REFINING APPARATUS
(FR) APPAREIL POUR L'AFFINAGE DU SILICIUM
(KO) 실리콘의 정련 장치
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a silicon refining apparatus. The present invention provides a silicon refining apparatus for removing volatile impurities, the apparatus comprising: a vacuum chamber which maintains a vacuum atmosphere; one or more electron-guns which are formed in the vacuum chamber and which irradiate an electron beam; a raw material supply section which supplies silicon raw materials to the inside of the vacuum chamber; a silicon melting section which is disposed within the range of the irradiation of the electron beam and in which the silicon raw materials are charged and then melted with the electron beam, thereby forming a silicon melt; a unidirectional solidification section which solidifies the silicon melt supplied from the silicon melting section; a connected pathway section which is formed with a first channel section of the silicon melting section communicated with a second channel section of the unidirectional solidification section, wherein the central axis of the connected pathway section is in a different location from the central axis of an insert hole of the raw material supply section. Consequently, the efficiency of vacuum refining can be improved by extending the travel path of the silicon melt and thereby securing enough time and space for removing volatile impurities which exist therein.
(FR)La présente invention concerne un appareil d'affinage du silicium. La présente invention concerne un appareil d'affinage du silicium pour l'élimination des impuretés volatiles, l'appareil comprenant : une chambre à vide qui maintient une atmosphère en dépression ; un ou plusieurs canons à électrons qui sont formés dans la chambre à vide et qui irradient un faisceau d'électrons ; une section d'alimentation de matière première qui fournit les matières premières du silicium à l'intérieur de la chambre à vide ; une section de fusion du silicium qui est placée dans la zone d'irradiation du faisceau d'électrons et dans laquelle les matières premières du silicium sont chargées puis fondues avec le faisceau d'électrons, formant ainsi un bain de silicium ; une section de solidification unidirectionnelle qui solidifie le bain de silicium fourni depuis la section de fusion du silicium ; une section de passage raccordée qui est formée avec une première section de canal de la section de fusion de silicium mise en communication avec une seconde section de canal de la section de solidification unidirectionnelle, l'axe central de la section de passage raccordée étant situé à un endroit différent de l'axe central d'un orifice d'insertion de la section d'alimentation de matière première. Par conséquent, l'efficacité de l'affinage sous vide peut être améliorée en allongeant le trajet de déplacement du bain de silicium et en laissant ainsi un temps et un espace suffisants pour l'élimination des impuretés volatiles contenues dedans.
(KO)실리콘의 정련 장치가 개시된다. 진공 분위기를 유지하는 진공 챔버, 상기 진공 챔버에 구비되어 전자빔을 조사하는 적어도 하나 이상의 전자총(Electron-gun), 상기 진공챔버 내에 실리콘 원료물질을 공급하는 원료 공급부, 상기 전자빔이 조사되는 영역 내에 배치되며, 상기 실리콘 원료물질이 장입되어 상기 전자빔에 의해 상기 실리콘 원료물질이 용융되어 실리콘 용탕이 형성되는 실리콘 용융부, 상기 실리콘 용융부로부터 공급되는 실리콘 용탕을 응고시키는 일방향 응고부 및 상기 실리콘 용융부의 제 1 채널부와 상기 일방향 응고부의 제 2 채널부가 서로 접하여 이루어진 연결탕로부를 포함하고, 상기 연결탕로부의 중심축은 상기 원료 공급부의 투입구의 중심축과 다른 위치에 있는 휘발성 불순물 제거를 위한 실리콘의 정련 장치가 제공될 수 있다. 이에 따라, 실리콘 용탕의 이동경로를 길게 하여 내부에 존재하는 휘발성 불순물이 제거되는 시간과 공간을 충분히 확보하여 진공 정련의 효율을 향상시킬 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)