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1. (WO2014010816) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/010816    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/003349
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 19.04.2013
CIB :
H01L 33/14 (2010.01)
Déposants : LG INNOTEK CO., LTD. [KR/KR]; Seoul Square, 541, Namdaemunno 5-ga Jung-gu Seoul 100-714 (KR)
Inventeurs : KIM, Dong Wook; (KR).
SONG, June O; (KR).
CHOI, Rak Jun; (KR).
OH, Jeong Tak; (KR)
Mandataire : SEO, Kyo Jun; 9th Fl. Hyun Juk Bldg., 832-41,Yeoksam-dong Gangnam-gu Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0076594 13.07.2012 KR
Titre (EN) LIGHT EMITTING DEVICE, AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a light emitting device, a method of fabricating the light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system. The light emitting device includes a first conductive semiconductor layer, an active layer on the first conductive semiconductor layer, an electron blocking layer on the active layer, and a second conductive semiconductor layer on the electron blocking layer. The electron blocking layer includes a first electron blocking layer and an interrupted diffusion layer on the first electron blocking layer.
(FR)L'invention concerne un dispositif électroluminescent, un procédé de fabrication du dispositif électroluminescent, un boîtier de dispositif électroluminescent, et un système d'éclairage. Le dispositif électroluminescent comprend une première couche de semi-conducteur conductrice, une couche active sur la première couche de semi-conducteur conductrice, une couche de blocage des électrons sur la couche active, et une seconde couche de semi-conducteur conductrice sur la couche de blocage des électrons. La couche de blocage des électrons comprend une première couche de blocage des électrons et une couche à diffusion interrompue sur la première couche de blocage des électrons.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)