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1. (WO2014010800) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ORGANIQUE CONTENANT UNE COUCHE DE MATÉRIAU INORGANIQUE DANS LAQUELLE DES TROUS SONT FORMÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/010800    N° de la demande internationale :    PCT/KR2012/011730
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 28.12.2012
CIB :
H01L 51/56 (2006.01)
Déposants : KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [KR/KR]; 373-1, Guseong-dong, Yuseong-gu Daejeon 305-701 (KR)
Inventeurs : CHOI, Kyung Cheol; (KR).
KIM, Jin Yeong; (KR)
Mandataire : HWANG MOK PARK IP GROUP; (Yeoksam-dong, Line BIdg.) 8F, 16, Teheran-ro 14-gil Gangnam-gu, Seoul 135-933 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0074917 10.07.2012 KR
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE ELEMENT CONTAINING INORGANIC MATERIAL LAYER IN WHICH HOLE IS FORMED
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ORGANIQUE CONTENANT UNE COUCHE DE MATÉRIAU INORGANIQUE DANS LAQUELLE DES TROUS SONT FORMÉS
(KO) 구멍이 형성된 무기물 층을 포함하는 유기 발광 다이오드 소자의 제조 방법
Abrégé : front page image
(EN)A method for producing an organic light-emitting diode element includes: (a) a step of forming a first electrode on a substrate, (b) a step of forming an inorganic material layer having a nanostructure and containing multiple holes on the first electrode, (c) a step of forming an organic material layer on the inorganic material layer, and (d) a step of forming a second electrode on the organic material layer. The holes in the inorganic material layer are formed randomly, and the inorganic material layer is formed by means of a wet etching process using a metal mask. The organic material layer contains a wave-shaped nanostructure which is inserted into the holes of the inorganic material layer, and the second electrode contains a wave-shaped nanostructure which is inserted into the wave-shaped nanostructure of the organic material layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un élément de diode électroluminescente organique qui comprend : (a) une étape de formation d'une première électrode sur un substrat, (b) une étape de formation d'une couche de matériau inorganique ayant une nanostructure et contenant de multiples trous sur la première électrode, (c) une étape de formation d'une couche de matériau organique sur la couche de matériau inorganique, et (d) une étape de formation d'une seconde électrode sur la couche de matériau organique. Les trous dans la couche de matériau inorganique sont formés aléatoirement, et la couche de matériau inorganique est formée à l'aide d'un traitement de gravure humide utilisant un masque métallique. La couche de matériau organique contient une nanostructure en forme d'onde qui est insérée dans les trous de la couche de matériau inorganique, et la seconde électrode contient une nanostructure en forme d'onde qui est insérée dans la nanostructure en forme d'onde de la couche de matériau organique.
(KO)유기 발광 다이오드 소자의 제조 방법은, (a) 기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계와, (b) 제1 전극 위에, 나노 구조를 가지고 다수의 구멍들을 포함하는 무기물 층을 형성하는 단계와, (c) 무기물 층 위에 유기물 층을 형성하는 단계와, (d) 유기물 층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 무기물 층의 구멍들은 비주기적으로 형성되고, 무기물 층은 금속 마스크를 이용하는 습식 식각 공정에 의해 형성된다. 유기물 층은 무기물 층의 구멍들에 삽입되는 물결 형태의 나노 구조를 포함하고, 제2 전극은 유기물 층의 물결 형태의 나노 구조에 삽입되는 물결 형태의 나노 구조를 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)