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1. (WO2014010593) MARQUE, SON PROCÉDÉ DE FORMATION ET APPAREIL D'EXPOSITION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/010593    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/068752
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 09.07.2013
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), B82Y 40/00 (2011.01), G03F 9/00 (2006.01)
Déposants : NIKON CORPORATION [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008331 (JP)
Inventeurs : SHIBA Yuji; (JP).
FUJIWARA Tomoharu; (JP).
MAGOME Nobutaka; (JP)
Mandataire : OMORI Satoshi; Omori Patent Office, 2075-2-501, Noborito, Tama-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2140014 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-154373 10.07.2012 JP
Titre (EN) MARK, METHOD FOR FORMING SAME, AND EXPOSURE APPARATUS
(FR) MARQUE, SON PROCÉDÉ DE FORMATION ET APPAREIL D'EXPOSITION
(JA) マーク及びその形成方法、並びに露光装置
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming a mark includes: a step for forming a resist mark containing a concave section on the basis of a mark image exposed on a wafer; a step for applying a polymer layer containing a block copolymer in the concave section of the region where the resist mark is formed; a step for forming a self-assembling region using annealing on the polymer layer; a step for selectively removing a portion of the self-assembling region using etching; and a step for forming a wafer mark on the wafer using the partially removed self-assembling region. When forming a circuit pattern using the self-assembly of the block copolymer, marks can be formed in parallel.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de formation d'une marque, lequel procédé inclut : une étape consistant à former une marque de résist qui contient une section concave en se basant sur une image de marque exposée sur une plaquette ; une étape consistant à appliquer une couche de polymère qui contient un copolymère à blocs dans la section concave de la région où la marque de résist est formée ; une étape consistant à former une région auto-assemblée à l'aide d'un recuit sur la couche de polymère ; une étape consistant à supprimer de façon sélective une partie de la région auto-assemblée à l'aide d'une gravure ; et une étape consistant à former une marque de plaquette sur la plaquette à l'aide de la région auto-assemblée partiellement supprimée. Lors de la formation d'un tracé de circuit à l'aide de l'auto-assemblage du copolymère à blocs, les marques peuvent être formées en parallèle.
(JA) マーク形成方法は、ウエハに露光したマーク像に基づいて凹部を含むレジストマークを形成するステップと、そのレジストマークが形成された領域の凹部にブロック共重合体を含むポリマ層を塗布するステップと、ポリマ層にアニールによって自己組織化領域を形成させるステップと、エッチングによって自己組織化領域の一部を選択的に除去するステップと、その一部が除去された自己組織化領域を用いてウエハにウエハマークを形成するステップと、を含む。ブロック共重合体の自己組織化を用いて回路パターンを形成する際に並列にマークを形成できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)