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1. (WO2014010592) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MARQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/010592    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/068751
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 09.07.2013
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), B82Y 35/00 (2011.01), B82Y 40/00 (2011.01), G03F 7/20 (2006.01), G03F 7/40 (2006.01)
Déposants : NIKON CORPORATION [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008331 (JP)
Inventeurs : FUJIWARA Tomoharu; (JP)
Mandataire : OMORI Satoshi; Omori Patent Office, 2075-2-501, Noborito, Tama-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2140014 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-154372 10.07.2012 JP
Titre (EN) MARK FORMATION METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MARQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
(JA) マーク形成方法及びデバイス製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This mark formation method includes: a step in which a neutral layer, to which a polymer layer containing a block copolymer can adhere, is formed on a device layer of a wafer that has shot areas and a scribe line area; a step in which the part of the neutral layer formed on the scribe line area is removed; a step in which marks, including concave sections, are formed on the basis of a mark image by exposing the scribe line area to light by using the mark image; and a step in which the polymer layer containing the block copolymer is coated on the device layer of the wafer (W). When forming a circuit pattern by means of self-assembling of the block copolymer, the marks can be formed in parallel to one another.
(FR)Le procédé de formation de marque comporte : une étape au cours de laquelle une couche neutre qui permet l'adhésion d'une couche polymère contenant un copolymère séquencé, est formée sur une couche de dispositif de tranche possédant une région de visée et une région chemin de découpe; une étape au cours de laquelle la couche neutre formée dans la région chemin de découpe, est retirée; une étape au cours de laquelle une image de marque est exposée dans la région chemin de découpe, et une marque contenant une partie en creux est formée sur la base de cette image de marque; une étape au cours de laquelle la couche polymère contenant un copolymère séquencé est appliquée sur la couche de dispositif d'une tranche (W). Des marques peuvent être formées en juxtaposition lors d'une formation de motif de circuit par auto-organisation du copolymère séquencé.
(JA) ショット領域及びスクライブライン領域を有するウエハのデバイス層に、ブロック共重合体を含むポリマ層が付着可能な中性層を形成するステップと、スクライブライン領域に形成された中性層を除去するステップと、スクライブライン領域にマーク像を露光し、マーク像に基づいて凹部を含むマークを形成するステップと、ウエハWのデバイス層上にブロック共重合体を含むポリマ層を塗布するステップと、を含む。ブロック共重合体の自己組織化を用いて回路パターンを形成する際に、並列にマークを形成できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)