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1. (WO2014010591) ÉLÉMENT DE THERMISTOR EN COUCHE MINCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/010591    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/068749
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 09.07.2013
CIB :
H01C 7/04 (2006.01)
Déposants : SEMITEC CORPORATION [JP/JP]; 7-7, Kinshi 1-Chome, Sumida-ku, Tokyo 1308512 (JP)
Inventeurs : ITO, Kenji; (JP).
TOYODA, Tadashi; (JP)
Mandataire : MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-157278 13.07.2012 JP
Titre (EN) THIN-FILM THERMISTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT DE THERMISTOR EN COUCHE MINCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 薄膜サーミスタ素子およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A thin-film thermistor element provided with: an Si substrate (2); a thermistor thin film (5) formed on the Si substrate (2); and an electrode (3) comprising platinum, an alloy thereof, or the like formed on, under, or in the thermistor thin film (5); the thin-film thermistor element being characterized in that the electrode (3) is obtained by being formed as a film containing oxygen and nitrogen, and then heat-treated and caused to crystallize.
(FR)L'invention concerne un élément de thermistor en couche mince qui comprend : un substrat de Si (2) ; une couche mince de thermistor (5) formée sur le substrat de Si (2) ; et une électrode (3) comprenant du platine, un alliage de celui-ci, ou analogue formé sur, sous, ou dans la couche de mince de thermistor (5) ; l'élément de thermistor en couche mince étant caractérisé en ce que l'électrode (3) est obtenue en étant formée en tant que film contenant de l'oxygène et de l'azote, puis traitée thermiquement et amenée à cristalliser.
(JA) Si基板2と、Si基板2上に形成されたサーミスタ薄膜5と、サーミスタ薄膜5の膜上、膜下又は膜中に形成された白金又はその合金等からなる電極3と、を備えた薄膜サーミスタ素子であって、電極3が、酸素及び窒素を含んで成膜された後に熱処理して結晶化されてなることを特徴とする薄膜サーミスタ素子。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)