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1. (WO2014010471) FLUIDE DE GRAVURE, AGENT DE RÉCUPÉRATION DE FORCE DE GRAVURE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DESTINÉ À UNE CELLULE SOLAIRE, ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DESTINÉ À UNE CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/010471    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/068150
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 02.07.2013
CIB :
H01L 21/308 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : SETTSU OIL MILL., INC. [JP/JP]; 2-39, Noda 6-chome, Fukushima-ku, Osaka-shi, Osaka 5530005 (JP)
Inventeurs : SAIDA, Toshinori; .
OOYAGI, Noboru; .
KAMADA, Yoshiteru; .
YOKOTA, Yukinaga; .
YONEDA, Terumasa;
Mandataire : HOSODA, Yoshinori; c/o Hosoda International Patent Office, P.O. Box 26, OMM Building 5th Floor, 7-31, Otemae 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406591 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-153973 09.07.2012 JP
Titre (EN) ETCHING FLUID, ETCHING FORCE RECOVERY AGENT, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR SOLAR CELL, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR SOLAR CELL
(FR) FLUIDE DE GRAVURE, AGENT DE RÉCUPÉRATION DE FORCE DE GRAVURE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DESTINÉ À UNE CELLULE SOLAIRE, ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DESTINÉ À UNE CELLULE SOLAIRE
(JA) エッチング液、エッチング力回復剤、太陽電池用半導体基板の製造方法、及び太陽電池用半導体基板
Abrégé : front page image
(EN)In the present invention, an alkaline etching fluid which contains at least one selected from a specified sulfonic acid compound or salt thereof, and silicic acid and/or a silicate, is used to process the surface of a semiconductor substrate for a solar cell. The sulfonic acid compound of the present invention is preferably p-toluenesulfonic acid.
(FR)Selon la présente invention, un fluide de gravure alcalin qui contient au moins un élément choisi dans le groupe comprenant un composé d'acide sulfonique spécifié ou un sel de celui-ci et un acide silicique et/ou un silicate, est utilisé de manière à traiter la surface d'un substrat semi-conducteur qui est destiné à une cellule solaire. Le composé d'acide sulfonique selon la présente invention est de préférence un acide p-toluènesulfonique.
(JA) 太陽電池用半導体基板の表面を処理するための、アルカリ性のエッチング液として、特定のスルホン酸化合物及びその塩から選択される少なくとも一種とケイ酸及び/又はケイ酸塩とを含有させたアルカリ性のエッチング液を用いる。本発明において、スルホン酸化合物は、p-トルエンスルホン酸であることが好ましい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)