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1. (WO2014010333) PROCÉDÉ DE FORMATION DE CÂBLAGE EN CUIVRE ET SUPPORT DE MÉMOIRE LISIBLE PAR ORDINATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/010333    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/065393
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 03.06.2013
CIB :
H01L 21/3205 (2006.01), C23C 14/14 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), C23C 16/16 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : ISHIZAKA Tadahiro; (JP).
GOMI Atsushi; (JP).
SUZUKI Kenji; (JP).
HATANO Tatsuo; (JP).
SAKUMA Takashi; (JP).
FUJISATO Toshiaki; (JP)
Mandataire : TAKAYAMA Hiroshi; Daisan Inoue Bldg. 3F, 5-8-1 Futago, Takatsu-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2130002 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-153244 09.07.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING Cu WIRING, AND COMPUTER-READABLE MEMORY MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE CÂBLAGE EN CUIVRE ET SUPPORT DE MÉMOIRE LISIBLE PAR ORDINATEUR
(JA) Cu配線の形成方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for forming Cu wiring in which the Cu wiring is formed in a recess of a predetermined pattern formed on a substrate. This method for forming Cu wiring includes: a step for forming a barrier film on at least the surface of the recess (step 2); a step for forming, by PVD, a Cu alloy film containing an alloy component in an amount such that the electromigration resistance is higher than that of pure Cu and the resistance value is within an allowable range, and embedding the Cu alloy film in the recess having a barrier film formed on the surface (step 4); a step for forming a build-up layer on the Cu alloy film (step 5); and a step for polishing the entire surface by CMP and forming the Cu wiring in the recess (step 7).
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de câblage en cuivre dans lequel le câblage en cuivre est formé dans un renfoncement d'un motif prédéterminé formé sur un substrat. Ce procédé de formation de câblage en cuivre comprend les étapes suivantes : la formation d'un film barrière sur au moins la surface du renfoncement (étape 2); la formation, par dépôt physique en phase vapeur (PVD), d'un film d'alliage de cuivre contenant un constituant d'alliage en une quantité telle que la résistance d'électromigration est supérieure à celle du cuivre pur et la valeur de résistance est comprise dans une plage autorisée, et l'intégration du film d'alliage de cuivre dans le renfoncement ayant un film barrière formé sur la surface (étape 4); la formation d'une couche d'accumulation sur le film d'alliage de cuivre (étape 5); le polissage de la totalité de la surface par polissage chimico-mécanique (CMP) et la formation du câblage en cuivre dans le renfoncement (étape 7).
(JA) 基板に形成された所定パターンの凹部内にCu配線を形成するCu配線の形成方法を開示する。このCu配線の形成方法は、少なくとも凹部の表面にバリア膜を形成する工程(ステップ2)と、エレクトロマイグレーション耐性が純Cuよりも高く、かつ抵抗値が許容範囲となる程度の合金成分を含有するCu合金膜をPVDにより形成し、表面にバリア膜が形成された凹部内をCu合金膜を埋め込む工程(ステップ4)と、Cu合金膜の上に、積み増し層を形成する工程(ステップ5)と、CMPにより全面を研磨して凹部内にCu配線を形成する工程(ステップ7)とを有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)