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1. (WO2014010310) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/010310    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/064100
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 21.05.2013
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP)
Inventeurs : HONDA Shinya; .
NASUNO Yoshiyuki; .
NISHIMURA Kazuhito; .
TOMYO Atsushi; .
YAMADA Takashi;
Mandataire : KAWAKAMI Keiko; INTELIX Patent & Law Firm, Dojima Axis Building, 2-28, Dojimahama 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-154324 10.07.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A transparent conductive substrate (1) of a transparent conductive film (12) formed on a translucent substrate (11) is conveyed, without undergoing washing, into the reaction chamber of a plasma device (step (a)), and the transparent conductive film (12) is treated with a plasma employing CH4 gas and H2 gas (step (b)). Subsequent to step (b), semiconductor elements are successively layered onto the transparent conductive film (12) (steps (c), (d)), producing a semiconductor element (10) (step (e)).
(FR)La présente invention concerne un substrat conducteur transparent (1) d'un film conducteur transparent (12) formé sur un substrat translucide (11) transporté, sans subir de lavage, dans la chambre de réaction d'un dispositif à plasma (étape (a)), et le film conducteur transparent (12) est traité avec un plasma utilisant du CH4 gazeux et du H2 gazeux (étape (b)). Suite à l'étape (b), des éléments semi-conducteurs sont successivement posés sur le film conducteur transparent (12) (étapes (c), (d)), produisant un élément semi-conducteur (10) (étape (e)).
(JA) 透光性基板(11)上に透明導電膜(12)を形成した透明導電性基板(1)を洗浄を行わずにプラズマ装置の反応室内に搬入し(工程(a))、CHガスおよびHガスを用いたプラズマによって透明導電膜(12)を処理する(工程(b))。工程(b)の後、半導体素子を透明導電膜(12)上に順次積層し(工程(c),(d))、半導体素子(10)を製造する(工程(e))。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)