WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014010259) CORPS FRITTÉ D'OXYDE CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/010259    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/051043
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 21.01.2013
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.06.2013    
CIB :
C04B 35/453 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01B 5/14 (2006.01), H01B 1/08 (2006.01)
Déposants : JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP)
Inventeurs : NARA Atsushi; (JP)
Mandataire : OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office, HATSUMEIKAIKAN 5F, 9-14, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-153243 09.07.2012 JP
Titre (EN) CONDUCTIVE OXIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CORPS FRITTÉ D'OXYDE CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 導電性酸化物焼結体及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This sintered body is characterized by comprising zinc (Zn), aluminum (Al), magnesium (Mg) and/or silicon (Si), and oxygen (O), the Al content being 0.1-3.0 mol% in terms of Al2O3, the total content of Mg and/or Si being 27-70 mol% in terms of MgO and/or SiO2, and the remainder being the Zn content in terms of ZnO. Provided are: the sintered body that, by means of sintering in an inert gas atmosphere or a vacuum, can have a reduced bulk resistance of the sintered body, and is such that a thin film having a low refractive index can be formed by means of DC sputtering; and a method for producing the sintered body.
(FR)L'invention porte sur un corps fritté caractérisé en ce qu'il comprend du zinc (Zn), de l'aluminium (Al), du magnésium (Mg) et/ou du silicium (Si) et de l'oxygène (O), la teneur en Al étant comprise entre 0,1 et 3,0 % en mole en termes d'Al2O3, la teneur totale en Mg et/ou Si étant comprise entre de 27 et 70 % en mole en termes de MgO et/ou de SiO2 et le reste étant la teneur en Zn en termes de ZnO. Le corps fritté selon l'invention, au moyen d'un frittage dans une atmosphère de gaz inerte ou sous vide, peut avoir une résistance volumique réduite du corps fritté et il est tel qu'une couche mince ayant un faible indice de réfraction peut être formée au moyen d'une pulvérisation cathodique à courant continu. L'invention porte également sur un procédé pour la production du corps fritté.
(JA)亜鉛(Zn)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)及び/又は珪素(Si)、酸素(O)からなり、Alの含有量がAl換算で0.1~3.0 mol%、Mg及び/又はSiの総含有量がMgO及び/又はSiO換算で27~70 mol%、残部がZnのZnO換算の含有量であることを特徴とする焼結体。不活性ガス雰囲気又は真空下で焼結することにより、焼結体のバルク抵抗を低下させることができ、低屈折率の薄膜をDCスパッタリングにより成膜することのできる焼結体及びその製造方法を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)