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1. (WO2014009627) PROCÉDÉ D'EFFACEMENT OU DE PROGRAMMATION D'UNE MÉMOIRE FACTICE PROTÉGÉ CONTRE LA DÉTECTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/009627    N° de la demande internationale :    PCT/FR2013/051519
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 28.06.2013
CIB :
G11C 16/22 (2006.01), G11C 16/34 (2006.01)
Déposants : INSIDE SECURE [FR/FR]; Rue de la Carrière de Bachasson, CS 70025 Arteparc Bachasson, Bât. A F-13590 Meyreuil (FR)
Inventeurs : MERANDAT, Marc; (FR)
Mandataire : MARCHAND, André; OMNIPAT 24 Place des Martyrs de la Résistance F-13100 Aix En Provence (FR)
Données relatives à la priorité :
1201940 09.07.2012 FR
Titre (EN) DUMMY MEMORY ERASING OR PROGRAMMING METHOD HAVING PROTECTION AGAINST DETECTION
(FR) PROCÉDÉ D'EFFACEMENT OU DE PROGRAMMATION D'UNE MÉMOIRE FACTICE PROTÉGÉ CONTRE LA DÉTECTION
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method for programming or erasing memory cells of a nonvolatile memory, including a first erasing or programming cycle including the steps involving i) applying (S11) at least one erasing or programming pulse (Np) to the first memory cells, ii) determining (S14) the state, erased or programmed, of the memory cells, and repeating the steps i) and ii) if the memory cells are not in the desired state, and a second erasing or programming cycle including the application of a predetermined number of erasing or programming pulses to the second memory cells.
(FR)La présente invention concerne un procédé de programmation ou d'effacement de cellules mémoire d'une mémoire non volatile, comprenant un premier cycle d'effacement ou de programmation comprenant les étapes consistant à i) appliquer (S11) au moins une impulsion d'effacement ou de programmation(Np) à des premières cellules mémoire, ii) déterminer(S14) l'état, effacé ou programmé, des cellules mémoire, et répéter les étapes i) et ii) si les cellules mémoire ne sont pas dans l'état souhaité, et un second cycle d'effacement ou de programmation comprenant l'application d'un nombre prédéterminé d'impulsions d'effacement ou de programmation à des secondes cellules mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)