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1. (WO2014008819) STRUCTURE DE SYSTÈMES MICRO-ÉLECTROMÉCANIQUES ET PROCÉDÉ DE GRAVURE HUMIDE DE COUCHE SACRIFICIELLE ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/008819    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/078525
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 29.06.2013
CIB :
B81B 7/00 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01)
Déposants : CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD. [CN/CN]; No.8, Xinzhou Road, New District Wuxi, Jiangsu 214028 (CN)
Inventeurs : SU, Jiale; (CN)
Mandataire : WUXI SINO INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY, LTD.; Room 303, Building 5, Science and Education Industrial Park No. 100 Jinxi Road, Binhu District Wuxi, Jiangsu 214125 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210236844.7 10.07.2012 CN
Titre (EN) MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEMS STRUCTURE AND SACRIFICIAL LAYER WET ETCHING METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE DE SYSTÈMES MICRO-ÉLECTROMÉCANIQUES ET PROCÉDÉ DE GRAVURE HUMIDE DE COUCHE SACRIFICIELLE ASSOCIÉ
(ZH) 微机电系统结构及其牺牲层湿法腐蚀方法
Abrégé : front page image
(EN)A Micro-Electro-Mechanical Systems (MEMS) structure and a sacrificial layer wet etching method thereof. The method applies adhesion promoters on a sacrificial layer surface, and changes the viscosity between the sacrificial layer and a photoresist by adjusting the amount of adhesion promoters, thus the sacrificial layer having required corrosion morphology is obtained by wet etching. The method can flexibly control the morphology formed by making MEMS sacrificial layer via wet etching, especially the corrosion morphology of linear ramp, thus the following layers of the MEMS structure have better cover ability.
(FR)L'invention concerne une structure de systèmes micro-électromécaniques (MEMS) et un procédé de gravure humide de couche sacrificielle associé. Le procédé comprend l'application de promoteurs d'adhésion sur une surface de couche sacrificielle et la modification de la viscosité entre la couche sacrificielle et une résine photosensible par le réglage de la quantité de promoteurs d'adhésion, et une couche sacrificielle présentant une morphologie de corrosion requise est ainsi obtenue par gravure humide. Le procédé permet de commander de manière flexible la morphologie formée par la fabrication d'une couche sacrificielle de MEMS par gravure humide, notamment la morphologie de corrosion de rampe linéaire, et les couches suivantes de la structure de MEMS présentent ainsi une meilleure capacité de recouvrement.
(ZH)一种微机电系统(MEMS)结构及其牺牲层湿法腐蚀方法,所述方法在所述牺牲层表面施加增黏剂并且通过调整所述增黏剂的量来改变牺牲层与光刻胶之间的黏性,进而以湿法腐蚀得到所需腐蚀形貌的牺牲层。所述方法可以灵活地控制通过湿法腐蚀制作MEMS牺牲层时所得到的形貌,尤其是得到直线斜坡形的腐蚀形貌,从而使MEMS结构中的后续层有良好的覆盖性。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)