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1. (WO2014008767) DISPOSITIF LDMOS COMPRENANT DE MULTIPLES PLAQUES DE CHAMP DISCONTINUES ÉCHELONNÉES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/008767    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/072795
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 18.03.2013
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/40 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INNOGRATION (SUZHOU) CO., LTD [CN/CN]; 2F, Building 5 No.1 Huayun Road, SIP Suzhou, Jiangsu 215123 (CN)
Inventeurs : MA, Gordon Chiang; (CN)
Mandataire : UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; 7th Floor, Scitech Place No.22, Jian Guo Men Wai Ave., Chao Yang District Beijing 100004 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210237362.3 10.07.2012 CN
Titre (EN) LDMOS DEVICE WITH STEPPED MULTIPLE DISCONTINUOUS FIELD PLATES AND MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF LDMOS COMPRENANT DE MULTIPLES PLAQUES DE CHAMP DISCONTINUES ÉCHELONNÉES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 具有阶梯式多重不连续场板的LDMOS器件及制造方法
Abrégé : front page image
(EN)An LDMOS device with stepped multiple discontinuous field plates and a manufacturing method. The LDMS device comprises a semiconductor body. The semiconductor body comprises a semiconductor substrate region, a semiconductor epitaxial layer and a semiconductor medium layer that are sequentially arranged from bottom to top. A gate extending along a channel region, and at least two field plates sequentially arranged in a horizontal direction from the gate to a drain drift region are arranged in the semiconductor medium layer. A first field plate adjacent to the gate horizontally extends in the drain drift region, and other field plates not adjacent to the gate are horizontal strip-shaped. The distance between every two field plates is greater than zero. A distance between a second field plate adjacent to the first field plate and the drain drift region is greater than a distance between a horizontally-extending part of the first field plate and the drain drift region; other horizontal strip-shaped field plates have incremental distances to the drain drift region. The present invention resolves the contradiction between a source-drain breakdown voltage and an optimization requirement of a turn-on resistor, and improves the performance of the LDMS device.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif LDMOS comprenant de multiples plaques de champ discontinues échelonnées et sur un procédé de fabrication. Le dispositif LDMOS comprend un corps de semi-conducteur. Le corps de semi-conducteur comprend une région de substrat de semi-conducteur, une couche épitaxiale semi-conductrice et une couche de support semi-conductrice qui sont successivement disposées de bas en haut. Une grille s'étendant le long d'une région de canal, et au moins deux plaques de champ successivement disposées dans une direction horizontale depuis la grille vers une région de dérive de drain sont disposées dans la couche de support semi-conductrice. Une première plaque de champ adjacente à la grille s'étend horizontalement dans la région de dérive de drain, et d'autres plaques de champ non adjacentes à la grille sont en forme de bande horizontale. La distance entre deux plaques de champ parmi toutes les plaques de champ est supérieure à zéro. Une distance entre une seconde plaque de champ adjacente à la première plaque de champ et la région de dérive de drain est supérieure à une distance entre une partie s'étendant horizontalement de la première plaque de champ et la région de dérive de drain; d'autres plaques de champ en forme de bande horizontale ont des distances croissantes par rapport à la région de dérive de drain. La présente invention résout la contradiction entre une tension de claquage de source-drain et une exigence d'optimisation d'une résistance d'allumage, et améliore les performances du dispositif LDMOS.
(ZH)一种具有阶梯式多重不连续场板的LDMOS器件及制造方法,该LDMOS器件包括半导体本体,半导体本体包括从下至上依次设置的半导体村底区、半导体外延层以及半导体介质层,在半导体介质层内设有沿沟道区延伸的栅以及从栅朝向漏漂移区的水平方向上依次设置的至少两个场板,与栅相邻的第一场板在漏漂移区上具有水平延伸,其余与栅不相邻的场板均为水平条状,场板之间距离大于零,与第一场板相邻的第二场板与漏漂移区间的距离大于第一场板水平延伸部分与漏漂移区间的距离,其余水平条状场板与漏漂移区间的距离逐次递增。本发明缓解了源漏击穿电压与导通电阻的优化要求之间的矛盾,改善LDMOS器件的性能。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)