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1. (WO2014008698) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/008698    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/079717
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 06.08.2012
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN) (Tous Sauf US).
YIN, Haizhou [CN/US]; (US) (US Seulement).
ZHANG, Keke [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : YIN, Haizhou; (US).
ZHANG, Keke; (CN)
Mandataire : HANHOW INTELLECTUAL PROPERTY PARTNERS; ZHU Haibo W1-1111, F/11 Oriental plaza, No.1 East Chang An Avenue, Dongcheng District Beijing 100738 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210245140.6 13.07.2012 CN
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 半导体器件制造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor component, comprising: forming a contact sacrificial pattern (3A) on a substrate (1), covering a source region and a drain region while exposing a gate region; forming an inter-layer dielectric layer (6) on the substrate (1), covering the contact sacrificial pattern (3A) while exposing the gate region; forming a gate stack structure in the exposed gate region; removing the contact sacrificial pattern (3A), leaving behind a source/drain contact groove (3D); and, forming a source/drain contact (11) in the source/drain contact groove (3D). The method increases the area of a contact region by reducing the distance between a gate sidewall and the contact region via a contact sacrificial layer technique, thus reducing parasitic capacitance of the component.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur, consistant : à former un motif sacrificiel de contact (3A) sur un substrat (1), recouvrant une zone de source et une zone de drain tout en découvrant une zone de grille; à former une couche diélectrique intercouche (6) sur le substrat (1), recouvrant le motif sacrificiel de contact (3A) tout en découvrant la zone de grille; à former une structure d'empilement de grille dans la zone de grille découverte; à retirer le motif sacrificiel de contact (3A), laissant derrière un sillon de contact de source/drain (3D); et à former un contact de source/drain (11) dans le sillon de contact de source/drain (3D). Le procédé accroît l'aire d'une zone de contact en réduisant la distance entre une paroi latérale de grille et la zone de contact via une technique de couche sacrificielle de contact, réduisant ainsi la capacité parasite du composant.
(ZH)公开了一种半导体器件制造方法,包括:在衬底(1)上形成接触牺牲图形(3A),覆盖源区与漏区并且暴露栅极区域;在衬底(1)上形成层间介质层(6),覆盖接触牺牲图形(3A)并且暴露栅极区域;在暴露的栅极区域中形成栅极堆叠结构;去除接触牺牲图形(3A),留下了源漏接触沟槽(3D);在源漏接触沟槽(3D)中形成源漏接触(11)。该方法通过接触牺牲层工艺降低了栅极侧墙与接触区域之间的距离,增大了接触区域面积,从而减小了器件的寄生电阻。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)