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1. (WO2014008697) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PARTITION À SILLONS PEU PROFONDS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/008697    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/079693
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 03.08.2012
CIB :
H01L 21/762 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No. 3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN) (Tous Sauf US).
YIN, Haizhou [CN/US]; (US) (US Seulement).
ZHANG, Keke [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : YIN, Haizhou; (US).
ZHANG, Keke; (CN)
Mandataire : HANHOW INTELLECTUAL PROPERTY PARTNERS; ZHU, Haibo W1-1111,F/11 Oriental Plaza, No.1 East Chang An Avenue Dongcheng District Beijing 100738 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210244781.X 13.07.2012 CN
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SHALLOW GROOVE PARTITION
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PARTITION À SILLONS PEU PROFONDS
(ZH) 浅沟槽隔离制造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a shallow groove partition, comprising: forming a hard mask layer on a substrate; photolithographing/etching the hard mask layer and the substrate, forming multiple first grooves and multiple second grooves, where the first grooves run along a first direction, where the second grooves run along a second direction that is perpendicular to the first direction, and where the sizes of the second grooves are greater than the sizes of the first grooves; depositing an insulation material in the first and second grooves; and flattening the insulation material and the hard mask layer until the substrate is exposed, thus forming the shallow groove partition. According to the method of the present invention for manufacturing the shallow groove partition, shallow groove partitions that are deeper and wider are etched and filled in the groove width direction, while shallow groove partitions that are shallower and narrower are etched and filled in the lengthwise direction of the grooves, while stresses are exerted onto an NMOS and a PMOS to increase carrier mobility of the grooves, thus increasing the overall driving capability of the component.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une partition à sillons peu profonds, consistant : à former une couche de masque dur sur un substrat ; à photolithographier/graver la couche de masque dur et le substrat, formant de multiples premiers sillons et de multiples seconds sillons, les premiers sillons suivant une première direction, tandis que les seconds sillons suivent une seconde direction qui est perpendiculaire à la première direction, et les tailles des seconds sillons étant supérieures aux tailles des premiers sillons ; à déposer un matériau d'isolation sur les premiers et seconds sillons ; et à aplatir le matériau d'isolation et la couche de masque dur jusqu'à ce que le substrat soit découvert, formant ainsi la partition à sillons peu profonds. Selon le procédé selon la présente invention de fabrication de la partition à sillons peu profonds, des partitions à sillons peu profonds qui sont plus profondes et plus larges sont gravées et remplies dans la direction de la largeur des sillons, tandis que des partitions à sillons peu profonds qui sont moins profondes et plus étroites sont gravées et remplies dans la direction de la longueur des sillons, tandis que les contraintes sont exercées sur un NMOS ou un PMOS pour accroître la mobilité des porteurs de charge des sillons, accroissant ainsi la capacité de pilotage globale du composant.
(ZH)本发明公开了一种浅沟槽隔离的制造方法,包括:在衬底上形成硬掩模层;光刻/刻蚀硬掩模层和衬底,形成多个第一沟槽和多个第二沟槽,其中,第一沟槽沿第一方向,第二沟槽沿垂直于第一方向的第二方向,并且第二沟槽的体积大于第一沟槽的体积;在第一和第二沟槽中沉积绝缘材料;平坦化绝缘材料、硬掩模层直至暴露衬底,形成浅沟槽隔离。依照本发明的浅沟槽隔离制造方法,在沟道宽度方向刻蚀填充较深、较宽的浅沟槽隔离,而在沟道长度方向刻蚀填充较浅、较窄的浅沟槽隔离,同时向NMOS和PMOS施加应力,增大其沟道区载流子迁移率,从而提高器件整体驱动能力。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)