WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014008584) CELLULES DE MÉMOIRE DRAM RECONFIGURÉES POUR PRODUIRE UNE CAPACITÉ TOTALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/008584    N° de la demande internationale :    PCT/CA2013/000634
Date de publication : 16.01.2014 Date de dépôt international : 12.07.2013
CIB :
G11C 11/4063 (2006.01)
Déposants : CONVERSANT INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT INC. [CA/CA]; 390 March Road, Suite 100, Ottawa, ON K2K 0G7 (CA)
Inventeurs : LIU, Yonghua; (CA).
KOSOLOWSKI, James; (CA)
Mandataire : HAMMOND, Daniel; 11 Hines Road, Suite 203 Ottawa, Ontario K2K 2X1 (CA)
Données relatives à la priorité :
61/670,794 12.07.2012 US
61/782,480 14.03.2013 US
13/834,009 15.03.2013 US
Titre (EN) DRAM MEMORY CELLS RECONFIGURED TO PROVIDE BULK CAPACITANCE
(FR) CELLULES DE MÉMOIRE DRAM RECONFIGURÉES POUR PRODUIRE UNE CAPACITÉ TOTALE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device includes a Dynamic Random Access Memory (DRAM) memory array (200). The DRAM memory array (200) includes a plurality of DRAM memory cells (130). Each of the DRAM memory cells includes a capacitor (150). Switching circuitry (210, 220), and (230) within the semiconductor device is configured to be switched to a state in which the switching circuitry connects capacitors (150A) and (150B) of at least two of the DRAM memory cells (130A, 130B) together to provide a bulk capacitance between a first node and a second node.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs qui comprend une matrice de mémoire vive dynamique (DRAM) (200). La matrice de mémoire DRAM (200) comprend une pluralité de cellules de mémoire DRAM (130). Chacune des cellules de mémoire DRAM comprend un condensateur (150). Une circuiterie de commutation (210, 220) et (230) dans le dispositif à semi-conducteurs est configurée pour être commutée vers un état dans lequel la circuiterie de commutation connecte des condensateurs (150A) et (150B) d'au moins deux des cellules de mémoire DRAM (130A, 130B) l'un à l'autre afin de produire une capacité totale entre un premier nœud un second nœud.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)