WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014008453) CROISSANCE ÉPITAXIALE CONTRÔLÉE DE NITRURE DE BORE DESTINÉE À DES TRANSISTORS À BASE DE GRAPHÈNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/008453    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/049417
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 05.07.2013
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF NORTH TEXAS [US/US]; 3940 North Elm A101 Denton, Texas 76207 (US)
Inventeurs : KELBER, Jeffry; (US)
Mandataire : KELBER, Steven; Law Offices of Marc R. Labgold, P.C. 12007 Sunrise Valley Drive Suite 110 Reston, Virginia 20191 (US)
Données relatives à la priorité :
61/668,629 06.07.2012 US
Titre (EN) CONTROLLED EPITAXIAL BORON NITRIDE GROWTH FOR GRAPHENE BASED TRANSISTORS
(FR) CROISSANCE ÉPITAXIALE CONTRÔLÉE DE NITRURE DE BORE DESTINÉE À DES TRANSISTORS À BASE DE GRAPHÈNE
Abrégé : front page image
(EN)We have demonstrated controlled growth of epitaxial h-BN on a metal substrate using atomic layer deposition. This permits the fabrication of devices such as vertical graphene transistors, where the electron tunneling barrier, and resulting characteristics such as ON-OFF rate may be altered by varying the number of epitaxial layers of h-BN. Few layer graphene is grown on the h-BN opposite the metal substrate, with leads to provide a vertical graphene transistor that is intergratable with Si CMOS technology of today, and can be prepared in a scalable, low temperature process of high repeatability and reliability.
(FR)L'invention concerne la croissance contrôlée de h-BN épitaxié sur un substrat métallique à l'aide d'un dépôt de couche atomique. Ceci permet la fabrication de dispositifs tels que des transistors à base de graphène verticaux, où la barrière à effet tunnel d'électrons et les caractéristiques résultantes telles que le taux d'activation/de désactivation peuvent être altérées en variant le nombre de couches épitaxiales de h-BN. On procède à la croissance d'un graphène à peu de couche sur le h-BN à l'opposé du substrat métallique, avec des broches de raccordement en vue d'obtenir un transistor à base de graphène vertical qui peut être intégrable avec la technologie MOS complémentaire au Si actuelle, et le graphène à peu de couche peut être préparé dans un processus à faible température susceptible d'être développé de grande répétabilité et de grande fiabilité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)