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1. (WO2014008271) PROCÉDÉ DE RÉCUPÉRATION DE MÉTAL ÉLÉMENTAIRE À PARTIR DE LA FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS POLYCRISTALLINS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/008271    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/049084
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 02.07.2013
CIB :
C01B 33/03 (2006.01), C01B 33/035 (2006.01), C01B 33/033 (2006.01)
Déposants : HEMLOCK SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 12334 Geddes Road Hemlock, MI 48626 (US)
Inventeurs : HERRON, William; (US).
METZLER, Brad, A.; (US).
SOBECK, Daniel, D.; (US)
Mandataire : KOSTIEW, Krista, A.; Cantor Colburn LLP 20 Church Street, 22nd Flr. Hartford, CT 06103 (US)
Données relatives à la priorité :
61/667,145 02.07.2012 US
Titre (EN) METHOD OF RECOVERING ELEMENTAL METAL FROM POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR PRODUCTION
(FR) PROCÉDÉ DE RÉCUPÉRATION DE MÉTAL ÉLÉMENTAIRE À PARTIR DE LA FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS POLYCRISTALLINS
Abrégé : front page image
(EN)A method includes the step of introducing hydrogen and a silane-containing feed gas that comprises trichlorosilane into one or more decomposition reactors that contain a polycrystalline silicon seed substrate. The trichlorosilane and hydrogen are reacted to form polycrystalline silicon in the decomposition reactor. A gaseous stream that comprises silicon tetrachloride is exhausted from the one or more decomposition reactors. The gaseous stream and a source of elemental metal that is reactive with the silicon tetrachloride is fed into a recovery reactor. The silicon tetrachloride and the elemental metal are reacted to produce polycrystalline silicon and a first composition that comprises metal chloride. Elemental metal is recovered from the metal chloride in the first composition through at least one of 1) subjecting the first composition comprising the metal chloride to hydrogenation to produce elemental metal and hydrogen chloride, or 2) reacting the metal chloride in the first composition and elemental silicon.
(FR)L'invention concerne un procédé qui comprend l'étape d'introduction d'hydrogène et d'un gaz d'alimentation contenant du silane qui comprend du trichlorosilane dans un ou plusieurs réacteurs de décomposition qui contiennent un substrat de germination de silicium polycristallin. Le trichlorosilane et l'hydrogène réagissent pour former du silicium polycristallin dans le réacteur de décomposition. Un flux gazeux qui comprend du tétrachlorure de silicium s'échappe du ou des réacteurs de décomposition. Le flux gazeux et une source de métal élémentaire qui est réactif avec le tétrachlorure de silicium est distribué dans un réacteur de récupération. Le tétrachlorure de silicium et le métal élémentaire réagissent pour produire du silicium polycristallin et une première composition qui comprend un chlorure de métal. Un métal élémentaire est récupéré à partir du chlorure de métal dans la première composition par l'intermédiaire d'au moins l'un de 1) soumission de la première composition comprenant le chlorure de métal à une hydrogénation pour produire du métal élémentaire et du chlorure d'hydrogène, ou 2) la réaction du chlorure de métal dans la première composition et du silicium élémentaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)