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1. (WO2014008165) DISPOSITIF MÉMOIRE NON-ET CONTENANT DES POINTS QUANTIQUES ET PROCÉDÉ POUR LE FABRIQUER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/008165    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/048883
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 01.07.2013
CIB :
H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : SANDISK TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, Texas 75024 (US)
Inventeurs : PURAYATH, Vinod; (US).
SAMACHISA, George; (US).
MATAMIS, George; (US).
KAI, James; (US).
ZHANG, Yuan; (US)
Mandataire : RADOMSKY, Leon; The Marbury Law Group, PLLC 11800 Sunrise Valley Drive 15th Floor Reston, Virginia 20191 (US)
Données relatives à la priorité :
61/667,007 02.07.2012 US
13/708,587 07.12.2012 US
13/708,677 07.12.2012 US
Titre (EN) NAND MEMORY DEVICE CONTAINING NANODOTS AND METHOD OF MAKING THEREOF
(FR) DISPOSITIF MÉMOIRE NON-ET CONTENANT DES POINTS QUANTIQUES ET PROCÉDÉ POUR LE FABRIQUER
Abrégé : front page image
(EN)A method of fabricating a memory device includes providing multiple coatings of nanodots on a tunnel dielectric layer to form a floating gate layer having a high nanodot density. The memory device may have a nanodot-containing floating gate layer with a density greater than 4 x 1012 dots/cm2. Further methods include forming an oxidation barrier layer, such as a silicon nitride shell, over a surface of the nanodots, and depositing a dielectric material over the nanodots to form a floating gate layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif mémoire qui comprend le dépôt de multiples revêtements de points quantiques sur une couche diélectrique à effet tunnel pour former une couche de grille flottante ayant une densité élevée de points quantiques. Le dispositif mémoire peut comprendre une couche de grille flottante contenant des points quantiques avec une densité supérieure à 4 x 1012 points/cm2. D'autres procédés comprennent la formation d'une couche barrière à l'oxydation, comme une enveloppe de nitrure de silicium, sur une surface des points quantiques, et le dépôt d'un matériau diélectrique sur les points quantiques pour former une couche de grille flottante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)