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1. (WO2014008161) TRAITEMENT D'OXYDATION DES RADICAUX POUR LA FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE À PIÉGEAGE DE CHARGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/008161    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/048876
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 01.07.2013
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01)
Déposants : CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 198 Champion Court San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : RAMKUMAR, Krishnaswamy; (US).
LEVY, Sagy; (IL).
BYUN, Jeong Soo; (US)
Données relatives à la priorité :
13/539,458 01.07.2012 US
Titre (EN) RADICAL OXIDATION PROCESS FOR FABRICATING A NONVOLATILE CHARGE TRAP MEMORY DEVICE
(FR) TRAITEMENT D'OXYDATION DES RADICAUX POUR LA FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE À PIÉGEAGE DE CHARGE
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating a nonvolatile charge trap memory device is described. The method includes subjecting a substrate to a first oxidation process to form a tunnel oxide layer overlying a polysilicon channel, and forming over the tunnel oxide layer a multi-layer charge storing layer comprising an oxygen-rich, first layer comprising a nitride, and an oxygen-lean, second layer comprising a nitride on the first layer. The substrate is then subjected to a second oxidation process to consume a portion of the second layer and form a high-temperature-oxide (HTO) layer overlying the multi-layer charge storing layer. The stoichiometric composition of the first layer results in it being substantially trap free, and the stoichiometric composition of the second layer results in it being trap dense. The second oxidation process can comprise a plasma oxidation process or a radical oxidation process using In-Situ Steam Generation.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire non volatile à piégeage de charge. Ce procédé consiste, d'abord à soumettre à un premier traitement d'oxydation un substrat de façon à former une couche d'oxyde de tunnel recouvrant un canal de silicium polycristallin, et ensuite à former, au-dessus de la couche d'oxyde de tunnel, une couche multicouche de stockage de charges comprenant une première couche, riche en oxygène, et comprenant un nitrure, et au-dessus de cette première couche, une seconde couche, pauvre en oxygène, et comprenant un nitrure. Le substrat est alors soumis à un second traitement d'oxydation servant à faire partir une partie de la seconde couche et à former une couche d'oxyde à haute température ou "HTO" (High-Temperature-Oxide) recouvrant la couche multicouche de stockage de charges. De par leurs compositions stœchiométriques, la première couche est sensiblement exempte de pièges, alors que la seconde couche est densément peuplée de pièges. Le second traitement d'oxydation peut consister en un traitement d'oxydation au plasma ou en un traitement d'oxydation des radicaux par génération de vapeur in situ.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)