WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014008157) DISPOSITIF DE MÉMOIRE À PIÈGE DE CHARGE NON VOLATILE AYANT UNE COUCHE DEUTÉRÉE DANS UNE RÉGION DE PIÉGEAGE DE CHARGE MULTICOUCHES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/008157    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/048870
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 01.07.2013
CIB :
H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 198 Champion Court San Jose, CA 95134 (US).
LEVY, Sagy [IL/IL]; (IL).
JENNE, Fredrick [US/US]; (US).
RAMKUMAR, Krishnaswamy [US/US]; (US)
Inventeurs : LEVY, Sagy; (IL).
JENNE, Fredrick; (US).
RAMKUMAR, Krishnaswamy; (US)
Données relatives à la priorité :
13/539,459 01.07.2012 US
Titre (EN) NONVOLATILE CHARGE TRAP MEMORY DEVICE HAVING A DEUTERATED LAYER IN A MULTY-LAYER CHARGE-TRAPPING REGION
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE À PIÈGE DE CHARGE NON VOLATILE AYANT UNE COUCHE DEUTÉRÉE DANS UNE RÉGION DE PIÉGEAGE DE CHARGE MULTICOUCHES
Abrégé : front page image
(EN)Scaling a charge trap memory device and the article made thereby. In one embodiment, the charge trap memory device includes a substrate having a source region, a drain region, and a channel region electrically connecting the source and drain. A tunnel dielectric layer is disposed above the substrate over the channel region, and a multi-layer charge-trapping region disposed on the tunnel dielectric layer. The multi-layer charge-trapping region includes a first deuterated layer disposed on the tunnel dielectric layer, a first nitride layer disposed on the first deuterated layer and a second nitride layer disposed above the first nitride layer.
(FR)L'invention permet d'adapter un dispositif de mémoire à piège de charge et l'article préparé ainsi. Dans un mode de réalisation, le dispositif de mémoire à piège de charge comprend un substrat comprenant une région de source, une région de drain, et une région de canal connectant électriquement la source et le drain. Une couche diélectrique à effet tunnel est placée au-dessus du substrat sur la région de canal et une région de piégeage de charge multicouches est disposée sur la couche diélectrique à effet tunnel. La région de piégeage de charge multicouches comprend une première couche deutérée placée sur la couche diélectrique à effet tunnel, une première couche de nitrure placée sur la couche deutérée et une deuxième couche de nitrure placée sur la première couche de nitrure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)