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1. (WO2014008110) TÊTE DE TRANSFERT DE MICRO-DISPOSITIF BIPOLAIRE SOUPLE AVEC DES ÉLECTRODES DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/008110    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/048364
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 27.06.2013
CIB :
H01L 21/677 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01)
Déposants : LUXVUE TECHNOLOGY CORPORATION [US/US]; 1705 Wyatt Drive Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : GOLDA, Dariusz; (US).
BIBL, Andreas; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, CA 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
13/543,675 06.07.2012 US
13/543,680 06.07.2012 US
Titre (EN) COMPLIANT BIPOLAR MICRO DEVICE TRANSFER HEAD WITH SILICON ELECTRODES
(FR) TÊTE DE TRANSFERT DE MICRO-DISPOSITIF BIPOLAIRE SOUPLE AVEC DES ÉLECTRODES DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)A compliant bipolar micro device transfer head array and method of forming a compliant bipolar micro device transfer array from an SOI substrate are described. In an embodiment, a compliant bipolar micro device transfer head array includes a base substrate and a patterned silicon layer over the base substrate. The patterned silicon layer may include first and second silicon interconnects, and first and second arrays of silicon electrodes electrically connected with the first and second silicon interconnects and deflectable into one or more cavities between the base substrate and the silicon electrodes.
(FR)La présente invention concerne un système de tête de transfert d'un micro-dispositif bipolaire souple et un procédé de formation d'un réseau de têtes de transfert d'un micro-dispositif bipolaire souple à partir d'un substrat de silicium sur isolant. Selon un mode de réalisation, un réseau de têtes de transfert d'un micro-dispositif bipolaire souple comporte un substrat de base et une couche de silicium à motifs sur le substrat de base. La couche de silicium à motifs peut comporter des première et seconde interconnexions de silicium, et des premier et second réseaux d'électrodes de silicium connectés électriquement aux première et seconde interconnexions de silicium et pliables dans une ou des cavité(s) entre le substrat de base et les électrodes de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)