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1. (WO2014007941) PROCÉDÉ ET SYSTÈME D'EXTENSION DE LA FENÊTRE DE TENSION EFFECTIVE D'UNE CELLULE DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/007941    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/044848
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 07.06.2013
CIB :
G11C 11/56 (2006.01)
Déposants : SANDISK TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Pakway Plano, TX 75024 (US).
SHARON, Eran [IL/IL]; (US) (US only)
Inventeurs : SHARON, Eran; (US)
Mandataire : MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus LLP 575 Market Street, Suite 3750 San Francisco, CA 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
13/540,351 02.07.2012 US
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM FOR EXTENDING THE EFFECTIVE VOLTAGE WINDOW OF A MEMORY CELL
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME D'EXTENSION DE LA FENÊTRE DE TENSION EFFECTIVE D'UNE CELLULE DE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)Methods for operating a non-volatile storage system in which cross-coupling effects are utilized to extend the effective threshold voltage window of a memory cell and to embed additional information within the extended threshold voltage window are described. In some cases, additional information may be embedded within a memory cell storing the highest programming state if the memory cell is in a high boosting environment by splitting the highest programming state into two substates and programming the memory cell to one of the two substates based on the additional information. A memory cell may be in a high boosting environment if its neighboring memory cells are in a high programmed state. Additional information may also be embedded within a memory cell storing the lowest programming state if the memory cell is in a low boosting environment. The additional information may include error correction information.
(FR)L'invention concerne des procédés d'exploitation d'un système de stockage non volatil, dans lequel les effets de couplage croisé sont utilisés pour étendre la fenêtre de tension de seuil effective d'une cellule de mémoire et pour intégrer des informations supplémentaires dans la fenêtre de tension de seuil étendue. Dans certains cas, des informations supplémentaires peuvent être intégrées dans une cellule de mémoire, qui mémorise le taux de programmation le plus élevé, si la cellule mémoire est dans un environnement de relance élevé, par la division du taux de programmation le plus élevé en deux états secondaires et par la programmation de la cellule de mémoire sur l'un des deux états secondaires, sur la base des informations supplémentaires. Une cellule de mémoire peut se trouver dans un environnement de relance élevé si ses cellules de mémoire voisines sont dans un état programmé élevé. Les informations supplémentaires peuvent également être intégrées dans une cellule de mémoire, qui mémorise l'état de programmation le plus faible si la cellule de mémoire est dans un environnement de relance faible. Les informations supplémentaires peuvent comprendre des informations de correction d'erreur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)