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1. (WO2014007924) RÉPARATION D'ENDOMMAGEMENT DE DIÉLECTRIQUE À FAIBLE K PAR EXPOSITION CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/007924    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/042921
Date de publication : 09.01.2014 Date de dépôt international : 28.05.2013
CIB :
H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
CHAN, Kelvin [CN/US]; (US) (US only).
DEMOS, Alexandros T. [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : CHAN, Kelvin; (US).
DEMOS, Alexandros T.; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, LLP 24 Greenway Plaza, Suite 1600 Houston, TX 77046 (US)
Données relatives à la priorité :
61/667,237 02.07.2012 US
Titre (EN) LOW-K DIELECTRIC DAMAGE REPAIR BY VAPOR-PHASE CHEMICAL EXPOSURE
(FR) RÉPARATION D'ENDOMMAGEMENT DE DIÉLECTRIQUE À FAIBLE K PAR EXPOSITION CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method for repairing and lowering the dielectric constant of low-k dielectric layers used in semiconductor fabrication is provided. In one implementation, a method of repairing a damaged low-k dielectric layer comprising exposing the porous low-k dielectric layer to a vinyl silane containing compound and optionally exposing the porous low-k dielectric layer to an ultraviolet (UV) cure process.
(FR)L'invention concerne un procédé de réparation et de diminution de la constante diélectrique de couches diélectriques à faible k utilisées dans la fabrication de semi-conducteurs. Selon une mise en œuvre, l'invention concerne un procédé de réparation d'une couche diélectrique à faible k endommagée comprenant l'exposition de la couche diélectrique à faible k poreuse à un composé contenant un silane de vinyle et éventuellement l'exposition de la couche diélectrique à faible k poreuse à un traitement de durcissement par ultraviolets (UV).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)